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TPCC8008(TE12L,QM)

TPCC8008(TE12L,QM)

참조 용

부품 번호 TPCC8008(TE12L,QM)
PNEDA 부품 번호 TPCC8008-TE12L-QM
설명 MOSFET N-CH 30V 25A 8TSON
제조업체 Toshiba Semiconductor and Storage
단가 견적 요청
재고 있음 16,500
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 1월 7 - 1월 12 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

TPCC8008(TE12L 리소스

브랜드 Toshiba Semiconductor and Storage
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호TPCC8008(TE12L,QM)
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-단일

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  • TPCC8008(TE12L,QM) Distributor

TPCC8008(TE12L 사양

제조업체Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈U-MOSIV
FET 유형N-Channel
기술MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss)30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)25A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs6.8mOhm @ 12.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id2.5V @ 1A
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs30nC @ 10V
Vgs (최대)±25V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds1600pF @ 10V
FET 기능-
전력 손실 (최대)700mW (Ta), 30W (Tc)
작동 온도150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
공급자 장치 패키지8-TSON Advance (3.3x3.3)
패키지 / 케이스8-PowerVDFN

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드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

260A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

3mOhm @ 38A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

110nC @ 4.5V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

5890pF @ 15V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

330W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

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TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

제조업체

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시리즈

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FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

600V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

30A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

240mOhm @ 15A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

82nC @ 10V

Vgs (최대)

±30V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

5050pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

540W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

PLUS-220SMD

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PLUS-220SMD

FDMS0306S

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

-

기술

-

드레인-소스 전압 (Vdss)

-

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

-

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

-

Rds On (최대) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (최대) @ Id

-

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

Vgs (최대)

-

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

-

작동 온도

-

장착 유형

-

공급자 장치 패키지

-

패키지 / 케이스

-

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SIPMOS®

FET 유형

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기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

100V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

47A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

33mOhm @ 33A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 2mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

105nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

2500pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

175W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

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9.5mOhm @ 13A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

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45nC @ 5V

Vgs (최대)

-

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

2600pF @ 10V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

-

작동 온도

-

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Surface Mount

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