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TPIC44L01DBRG4

TPIC44L01DBRG4

참조 용

부품 번호 TPIC44L01DBRG4
PNEDA 부품 번호 TPIC44L01DBRG4
설명 IC DRIVER PRE FET 4 CHAN 24-SSOP
제조업체 Texas Instruments
단가 견적 요청
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창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 4월 22 - 4월 27 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

TPIC44L01DBRG4 리소스

브랜드 Texas Instruments
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호TPIC44L01DBRG4
분류반도체전력 관리 ICPMIC-게이트 드라이버

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TPIC44L01DBRG4 사양

제조업체
시리즈-
구동 구성Low-Side
채널 유형Independent
드라이버 수4
게이트 유형N-Channel, P-Channel MOSFET
전압-공급4.5V ~ 5.5V
논리 전압-VIL, VIH-
전류-피크 출력 (소스, 싱크)1.2mA, 1.2mA
입력 유형Non-Inverting
높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)-
상승 / 하강 시간 (일반)3.5µs, 3µs
작동 온도-40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스24-SSOP (0.209", 5.30mm Width)
공급자 장치 패키지24-SSOP

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Infineon Technologies

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구동 구성

Low-Side

채널 유형

Single

드라이버 수

1

게이트 유형

N-Channel MOSFET

전압-공급

12V ~ 18V

논리 전압-VIL, VIH

2V, 2.15V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

2A, 7A

입력 유형

Non-Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

-

상승 / 하강 시간 (일반)

18ns, 10ns

작동 온도

-25°C ~ 125°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOIC

LTC7000IMSE#PBF

Linear Technology/Analog Devices

제조업체

Linear Technology/Analog Devices

시리즈

-

구동 구성

High-Side

채널 유형

Single

드라이버 수

1

게이트 유형

N-Channel MOSFET

전압-공급

3.5V ~ 135V

논리 전압-VIL, VIH

-

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

-

입력 유형

Non-Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

-

상승 / 하강 시간 (일반)

90ns, 40ns

작동 온도

-40°C ~ 125°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

16-TFSOP (0.118", 3.00mm Width) Exposed Pad

공급자 장치 패키지

16-MSOP

MAX5078BATT/V+T

Maxim Integrated

제조업체

Maxim Integrated

시리즈

Automotive, AEC-Q100

구동 구성

Low-Side

채널 유형

Single

드라이버 수

1

게이트 유형

N-Channel MOSFET

전압-공급

4V ~ 15V

논리 전압-VIL, VIH

0.8V, 2.1V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

4A, 4A

입력 유형

Inverting, Non-Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

-

상승 / 하강 시간 (일반)

32ns, 26ns

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

6-WDFN Exposed Pad

공급자 장치 패키지

6-TDFN-EP (3x3)

DGD36030S28-13

Diodes Incorporated

제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

-

구동 구성

-

채널 유형

-

드라이버 수

-

게이트 유형

-

전압-공급

-

논리 전압-VIL, VIH

-

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

-

입력 유형

-

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

-

상승 / 하강 시간 (일반)

-

작동 온도

-

장착 유형

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

IR2108

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

구동 구성

Half-Bridge

채널 유형

Independent

드라이버 수

2

게이트 유형

IGBT, N-Channel MOSFET

전압-공급

10V ~ 20V

논리 전압-VIL, VIH

0.8V, 2.9V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

200mA, 350mA

입력 유형

Non-Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

600V

상승 / 하강 시간 (일반)

150ns, 50ns

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

8-DIP (0.300", 7.62mm)

공급자 장치 패키지

8-PDIP

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