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TRS10E65C,S1Q

TRS10E65C,S1Q

참조 용

부품 번호 TRS10E65C,S1Q
PNEDA 부품 번호 TRS10E65C-S1Q
설명 DIODE SCHOTTKY 650V 10A TO220-2L
제조업체 Toshiba Semiconductor and Storage
단가 견적 요청
재고 있음 8,352
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 12월 1 - 12월 6 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

TRS10E65C 리소스

브랜드 Toshiba Semiconductor and Storage
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호TRS10E65C,S1Q
분류반도체다이오드 및 정류기정류기-싱글

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TRS10E65C 사양

제조업체Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈-
다이오드 유형Silicon Carbide Schottky
전압-DC 역방향 (Vr) (최대)650V
전류-평균 정류 (Io)10A (DC)
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If1.7V @ 10A
속도No Recovery Time > 500mA (Io)
역 복구 시간 (trr)0ns
전류-역방향 누설 @ Vr90µA @ 650V
커패시턴스 @ Vr, F-
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스TO-220-2
공급자 장치 패키지TO-220-2L
작동 온도-접합175°C (Max)

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제조업체

Micro Commercial Co

시리즈

-

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

300V

전류-평균 정류 (Io)

1A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.25V @ 1A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

35ns

전류-역방향 누설 @ Vr

5µA @ 300V

커패시턴스 @ Vr, F

10pF @ 4V, 1MHz

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SOD-123F

공급자 장치 패키지

SOD-123FL

작동 온도-접합

-50°C ~ 150°C

SDURD830TR

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제조업체

SMC Diode Solutions

시리즈

-

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

300V

전류-평균 정류 (Io)

8A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.3V @ 8A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

45ns

전류-역방향 누설 @ Vr

10µA @ 300V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

공급자 장치 패키지

DPAK

작동 온도-접합

-55°C ~ 150°C

1N4151

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

75V

전류-평균 정류 (Io)

200mA

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1V @ 50mA

속도

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

역 복구 시간 (trr)

2ns

전류-역방향 누설 @ Vr

50nA @ 50V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

DO-204AH, DO-35, Axial

공급자 장치 패키지

DO-35

작동 온도-접합

-65°C ~ 150°C

JAN1N3595AUR-1

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

Military, MIL-PRF-19500/241

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

125V

전류-평균 정류 (Io)

150mA

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

920mV @ 100mA

속도

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

역 복구 시간 (trr)

3µs

전류-역방향 누설 @ Vr

2nA @ 125V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

DO-213AA

공급자 장치 패키지

DO-213AA

작동 온도-접합

-65°C ~ 175°C

SFF2001G C0G

Taiwan Semiconductor Corporation

제조업체

Taiwan Semiconductor Corporation

시리즈

-

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

50V

전류-평균 정류 (Io)

20A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

975mV @ 10A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

35ns

전류-역방향 누설 @ Vr

10µA @ 50V

커패시턴스 @ Vr, F

90pF @ 4V, 1MHz

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab

공급자 장치 패키지

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작동 온도-접합

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