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TSM480P06CZ C0G

TSM480P06CZ C0G

참조 용

부품 번호 TSM480P06CZ C0G
PNEDA 부품 번호 TSM480P06CZ-C0G
설명 MOSFET P-CHANNEL
제조업체 Taiwan Semiconductor Corporation
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TSM480P06CZ C0G 리소스

브랜드 Taiwan Semiconductor Corporation
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호TSM480P06CZ C0G
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-단일
데이터 시트
TSM480P06CZ C0G, TSM480P06CZ C0G 데이터 시트 (총 페이지: 9, 크기: 865.02 KB)
PDFTSM480P06CZ C0G 데이터 시트 표지
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TSM480P06CZ C0G 사양

제조업체Taiwan Semiconductor Corporation
시리즈-
FET 유형P-Channel
기술MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss)60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)20A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs48mOhm @ 8A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id2.2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs22.4nC @ 10V
Vgs (최대)±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds1250pF @ 30V
FET 기능-
전력 손실 (최대)66W (Tc)
작동 온도-50°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Through Hole
공급자 장치 패키지TO-220
패키지 / 케이스TO-220-3

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FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

75V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

45A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

24.6mOhm @ 25A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

Vgs (최대)

±10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

3120pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

114W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

DPAK

패키지 / 케이스

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

IPD65R250C6XTMA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

CoolMOS™

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

650V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

16.1A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

250mOhm @ 4.4A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3.5V @ 400µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

44nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

950pF @ 100V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

208.3W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

PG-TO252-3

패키지 / 케이스

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

제조업체

IXYS

시리즈

HiPerFET™

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

800V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

37A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

190mOhm @ 22A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

6.5V @ 8mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

185nC @ 10V

Vgs (최대)

±30V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

9840pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

780W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

공급자 장치 패키지

SOT-227B

패키지 / 케이스

SOT-227-4, miniBLOC

STB45NF06

STMicroelectronics

제조업체

STMicroelectronics

시리즈

STripFET™ II

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

60V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

38A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

28mOhm @ 19A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

58nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

980pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

80W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

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공급자 장치 패키지

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드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

19A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

5.6mOhm @ 9.5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

1V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

17nC @ 15V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1690pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

2.7W (Ta)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

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