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TSM7P06CP ROG

TSM7P06CP ROG

참조 용

부품 번호 TSM7P06CP ROG
PNEDA 부품 번호 TSM7P06CP-ROG
설명 MOSFET P-CHANNEL 60V 7A TO252
제조업체 Taiwan Semiconductor Corporation
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TSM7P06CP ROG 리소스

브랜드 Taiwan Semiconductor Corporation
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호TSM7P06CP ROG
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-단일

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TSM7P06CP ROG 사양

제조업체Taiwan Semiconductor Corporation
시리즈-
FET 유형P-Channel
기술MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss)60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)7A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs180mOhm @ 3A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id2.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs8.2nC @ 10V
Vgs (최대)±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds425pF @ 30V
FET 기능-
전력 손실 (최대)15.6W (Tc)
작동 온도150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
공급자 장치 패키지TO-252, (D-Pak)
패키지 / 케이스TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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FET 유형

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MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

36A (Ta), 85A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

3.2mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

65nC @ 10V

Vgs (최대)

±12V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

3290pF @ 15V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

6.2W (Ta), 48W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

8-DFN (5x6)

패키지 / 케이스

8-PowerSMD, Flat Leads

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FET 유형

P-Channel

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MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

100V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

36A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

43mOhm @ 10A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

160nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

4600pF @ 50V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

2W (Ta), 125W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

TO-220AB

패키지 / 케이스

TO-220-3

SCH1430-TL-W

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

2A (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

1.8V, 4.5V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

125mOhm @ 1A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.3V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

1.8nC @ 4.5V

Vgs (최대)

±12V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

128pF @ 10V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

800mW (Ta)

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

SOT-563/SCH6

패키지 / 케이스

SOT-563, SOT-666

NTMFS5C404NLTT1G

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

40V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

-

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

0.75mOhm @ 50A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

181nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

12168pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

3.9W (Ta), 200W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

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제조업체

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FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

600V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

10.8A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

299mOhm @ 5.4A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

35.6nC @ 10V

Vgs (최대)

±30V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1505pF @ 100V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

94W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

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