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TSP3H150S S1G

TSP3H150S S1G

참조 용

부품 번호 TSP3H150S S1G
PNEDA 부품 번호 TSP3H150S-S1G
설명 DIODE SCHOTTKY 150V 3A TO277A
제조업체 Taiwan Semiconductor Corporation
단가 견적 요청
재고 있음 55,926
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 11월 24 - 11월 29 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

TSP3H150S S1G 리소스

브랜드 Taiwan Semiconductor Corporation
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호TSP3H150S S1G
분류반도체다이오드 및 정류기정류기-싱글

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TSP3H150S S1G 사양

제조업체Taiwan Semiconductor Corporation
시리즈-
다이오드 유형Schottky
전압-DC 역방향 (Vr) (최대)150V
전류-평균 정류 (Io)3A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If860mV @ 3A
속도Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr)20ns
전류-역방향 누설 @ Vr100µA @ 150V
커패시턴스 @ Vr, F150pF @ 4V, 1MHz
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스TO-277, 3-PowerDFN
공급자 장치 패키지TO-277A (SMPC)
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전류-평균 정류 (Io)

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전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

890mV @ 4A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

35ns

전류-역방향 누설 @ Vr

5µA @ 200V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

DO-201AA, DO-27, Axial

공급자 장치 패키지

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Powerex Inc.

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1200V

전류-평균 정류 (Io)

150A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.3V @ 150A

속도

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

20mA @ 1200V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

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Micro Commercial Co

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-

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

1000V

전류-평균 정류 (Io)

10A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.3V @ 40V

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

500ns

전류-역방향 누설 @ Vr

-

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

R6, Axial

공급자 장치 패키지

R-6

작동 온도-접합

-55°C ~ 150°C

TSOD1F10HM RVG

Taiwan Semiconductor Corporation

제조업체

Taiwan Semiconductor Corporation

시리즈

-

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

-

전류-평균 정류 (Io)

1A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.3V @ 1A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

500ns

전류-역방향 누설 @ Vr

5µA @ 1000V

커패시턴스 @ Vr, F

4pF @ 4V, 1MHz

장착 유형

Surface Mount

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공급자 장치 패키지

SOD-123FL

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Rohm Semiconductor

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전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

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전류-평균 정류 (Io)

3A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

460mV @ 3A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

900µA @ 20V

커패시턴스 @ Vr, F

-

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