UCC27512DRSR
참조 용
| 부품 번호 | UCC27512DRSR |
| PNEDA 부품 번호 | UCC27512DRSR |
| 설명 | IC GATE DVR LOW SIDE 1CH 6WSON |
| 제조업체 | Texas Instruments |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 45,332 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 12월 1 - 12월 6 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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UCC27512DRSR 리소스
| 브랜드 | Texas Instruments |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | UCC27512DRSR |
| 분류 | 반도체 › 전력 관리 IC › PMIC-게이트 드라이버 |
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UCC27512DRSR 사양
| 제조업체 | |
| 시리즈 | - |
| 구동 구성 | Low-Side |
| 채널 유형 | Single |
| 드라이버 수 | 1 |
| 게이트 유형 | IGBT, N-Channel MOSFET |
| 전압-공급 | 4.5V ~ 18V |
| 논리 전압-VIL, VIH | 1V, 2.4V |
| 전류-피크 출력 (소스, 싱크) | 4A, 8A |
| 입력 유형 | Inverting, Non-Inverting |
| 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩) | - |
| 상승 / 하강 시간 (일반) | 8ns, 7ns |
| 작동 온도 | -40°C ~ 140°C (TJ) |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 패키지 / 케이스 | 6-WDFN Exposed Pad |
| 공급자 장치 패키지 | 6-SON-EP (3x3) |
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제조업체 시리즈 - 구동 구성 Low-Side 채널 유형 Synchronous 드라이버 수 2 게이트 유형 N-Channel MOSFET 전압-공급 4.75V ~ 5.25V, 4.75V ~ 24V 논리 전압-VIL, VIH 0.8V, 2V 전류-피크 출력 (소스, 싱크) 500mA, 500mA 입력 유형 Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩) - 상승 / 하강 시간 (일반) - 작동 온도 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지 8-SOIC |
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제조업체 Renesas Electronics America Inc. 시리즈 - 구동 구성 Low-Side 채널 유형 Independent 드라이버 수 2 게이트 유형 N-Channel MOSFET 전압-공급 7.5V ~ 16V 논리 전압-VIL, VIH 2.4V, 9.6V 전류-피크 출력 (소스, 싱크) 6A, 6A 입력 유형 Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩) - 상승 / 하강 시간 (일반) 20ns, 20ns 작동 온도 -40°C ~ 125°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad 공급자 장치 패키지 8-SOIC-EP |
제조업체 시리즈 - 구동 구성 Low-Side 채널 유형 Synchronous 드라이버 수 2 게이트 유형 N-Channel, P-Channel MOSFET 전압-공급 4V ~ 14V 논리 전압-VIL, VIH 1V, 4V 전류-피크 출력 (소스, 싱크) 2A, 2A 입력 유형 Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩) - 상승 / 하강 시간 (일반) 14ns, 15ns 작동 온도 -40°C ~ 125°C (TA) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지 8-SOIC |
