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UF1GHR1G

UF1GHR1G

참조 용

부품 번호 UF1GHR1G
PNEDA 부품 번호 UF1GHR1G
설명 DIODE GEN PURP 400V 1A DO204AL
제조업체 Taiwan Semiconductor Corporation
단가 견적 요청
재고 있음 7,776
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 11월 29 - 12월 4 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

UF1GHR1G 리소스

브랜드 Taiwan Semiconductor Corporation
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호UF1GHR1G
분류반도체다이오드 및 정류기정류기-싱글

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UF1GHR1G 사양

제조업체Taiwan Semiconductor Corporation
시리즈Automotive, AEC-Q101
다이오드 유형Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대)400V
전류-평균 정류 (Io)1A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If1V @ 1A
속도Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr)50ns
전류-역방향 누설 @ Vr5µA @ 400V
커패시턴스 @ Vr, F17pF @ 4V, 1MHz
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스DO-204AL, DO-41, Axial
공급자 장치 패키지DO-204AL (DO-41)
작동 온도-접합-55°C ~ 150°C

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시리즈

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다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

800V

전류-평균 정류 (Io)

1A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.05V @ 1A

속도

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

19µs

전류-역방향 누설 @ Vr

5µA @ 800V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

2-SMD, J-Lead

공급자 장치 패키지

SMD

작동 온도-접합

-40°C ~ 150°C

S1PGHM3/84A

Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

eSMP®

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

400V

전류-평균 정류 (Io)

1A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.1V @ 1A

속도

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

1.8µs

전류-역방향 누설 @ Vr

1µA @ 400V

커패시턴스 @ Vr, F

6pF @ 4V, 1MHz

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

DO-220AA

공급자 장치 패키지

DO-220AA (SMP)

작동 온도-접합

-55°C ~ 150°C

RB886CST2R

Rohm Semiconductor

제조업체

Rohm Semiconductor

시리즈

-

다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

5V

전류-평균 정류 (Io)

10mA (DC)

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

350mV @ 1mA

속도

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

120µA @ 5V

커패시턴스 @ Vr, F

0.8pF @ 1V, 1MHz

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

2-SMD, Flat Lead

공급자 장치 패키지

VMN2

작동 온도-접합

125°C (Max)

LXA20T600

Power Integrations

제조업체

Power Integrations

시리즈

Qspeed™

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

600V

전류-평균 정류 (Io)

20A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

3.1V @ 20A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

26.5ns

전류-역방향 누설 @ Vr

250µA @ 600V

커패시턴스 @ Vr, F

92pF @ 10V, 1MHz

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-220-2

공급자 장치 패키지

TO-220AC

작동 온도-접합

150°C (Max)

RBR2L30ATE25

Rohm Semiconductor

제조업체

Rohm Semiconductor

시리즈

-

다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

30V

전류-평균 정류 (Io)

2A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

490mV @ 2A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

80µA @ 30V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

DO-214AC, SMA

공급자 장치 패키지

PMDS

작동 온도-접합

150°C (Max)

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