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UG56G R0G

UG56G R0G

참조 용

부품 번호 UG56G R0G
PNEDA 부품 번호 UG56G-R0G
설명 DIODE GEN PURP 400V 5A DO201AD
제조업체 Taiwan Semiconductor Corporation
단가 견적 요청
재고 있음 7,830
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 11월 29 - 12월 4 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

UG56G R0G 리소스

브랜드 Taiwan Semiconductor Corporation
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호UG56G R0G
분류반도체다이오드 및 정류기정류기-싱글

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UG56G R0G 사양

제조업체Taiwan Semiconductor Corporation
시리즈-
다이오드 유형Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대)400V
전류-평균 정류 (Io)5A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If1.55V @ 5A
속도Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr)20ns
전류-역방향 누설 @ Vr10µA @ 400V
커패시턴스 @ Vr, F-
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스DO-201AD, Axial
공급자 장치 패키지DO-201AD
작동 온도-접합-55°C ~ 175°C

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Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

200V

전류-평균 정류 (Io)

1A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

980mV @ 1A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

25ns

전류-역방향 누설 @ Vr

5µA @ 200V

커패시턴스 @ Vr, F

27pF @ 4V, 1MHz

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

POWERDI®123

공급자 장치 패키지

PowerDI™ 123

작동 온도-접합

-65°C ~ 150°C

GL34A-E3/98

Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

SUPERECTIFIER®

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

50V

전류-평균 정류 (Io)

500mA

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.2V @ 500mA

속도

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

1.5µs

전류-역방향 누설 @ Vr

5µA @ 50V

커패시턴스 @ Vr, F

4pF @ 4V, 1MHz

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

DO-213AA (Glass)

공급자 장치 패키지

DO-213AA (GL34)

작동 온도-접합

-65°C ~ 175°C

BAS116TT1G

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

75V

전류-평균 정류 (Io)

200mA

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.25V @ 150mA

속도

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

역 복구 시간 (trr)

3µs

전류-역방향 누설 @ Vr

5nA @ 75V

커패시턴스 @ Vr, F

2pF @ 0V, 1MHz

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SC-75, SOT-416

공급자 장치 패키지

SC-75, SOT-416

작동 온도-접합

-55°C ~ 150°C

SBRT05U20LP-7B

Diodes Incorporated

제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

TrenchSBR®

다이오드 유형

Super Barrier

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

20V

전류-평균 정류 (Io)

500mA

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

390mV @ 500mA

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

6ns

전류-역방향 누설 @ Vr

50µA @ 20V

커패시턴스 @ Vr, F

14pF @ 20V, 1MHz

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

0402 (1006 Metric)

공급자 장치 패키지

X1-DFN1006-2

작동 온도-접합

-65°C ~ 150°C

VS-SD1100C30C

Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

-

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

3000V

전류-평균 정류 (Io)

1100A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.44V @ 1500A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

-

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

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