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UGF5JHC0G

UGF5JHC0G

참조 용

부품 번호 UGF5JHC0G
PNEDA 부품 번호 UGF5JHC0G
설명 DIODE GEN PURP 600V 5A ITO220AC
제조업체 Taiwan Semiconductor Corporation
단가 견적 요청
재고 있음 5,148
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 3월 15 - 3월 20 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

UGF5JHC0G 리소스

브랜드 Taiwan Semiconductor Corporation
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호UGF5JHC0G
분류반도체다이오드 및 정류기정류기-싱글

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UGF5JHC0G 사양

제조업체Taiwan Semiconductor Corporation
시리즈Automotive, AEC-Q101
다이오드 유형Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대)600V
전류-평균 정류 (Io)5A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If3V @ 5A
속도Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr)25ns
전류-역방향 누설 @ Vr30µA @ 600V
커패시턴스 @ Vr, F-
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스TO-220-2 Full Pack
공급자 장치 패키지ITO-220AC
작동 온도-접합-55°C ~ 150°C

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제조업체

Littelfuse Inc.

시리즈

Gen2

다이오드 유형

Silicon Carbide Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

1200V

전류-평균 정류 (Io)

33A (DC)

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.8V @ 10A

속도

No Recovery Time > 500mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

0ns

전류-역방향 누설 @ Vr

100µA @ 1200V

커패시턴스 @ Vr, F

582pF @ 1V, 1MHz

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

공급자 장치 패키지

TO-252, (D-Pak)

작동 온도-접합

-55°C ~ 175°C

V20PW12-M3/I

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제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

Automotive, AEC-Q101, eSMP®, TMBS®

다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

120V

전류-평균 정류 (Io)

20A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.02V @ 20A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

800µA @ 120V

커패시턴스 @ Vr, F

1350pF @ 4V, 1MHz

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

공급자 장치 패키지

SlimDPAK

작동 온도-접합

-40°C ~ 150°C

NRVBM110LT1G

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

POWERMITE®

다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

10V

전류-평균 정류 (Io)

1A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

415mV @ 2A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

500µA @ 10V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

DO-216AA

공급자 장치 패키지

Powermite

작동 온도-접합

-55°C ~ 125°C

RS1GLHMQG

Taiwan Semiconductor Corporation

제조업체

Taiwan Semiconductor Corporation

시리즈

Automotive, AEC-Q101

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

400V

전류-평균 정류 (Io)

800mA

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.3V @ 800mA

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

150ns

전류-역방향 누설 @ Vr

5µA @ 400V

커패시턴스 @ Vr, F

10pF @ 4V, 1MHz

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

DO-219AB

공급자 장치 패키지

Sub SMA

작동 온도-접합

-55°C ~ 150°C

CRS10I40A(TE85L,QM

Toshiba Semiconductor and Storage

제조업체

Toshiba Semiconductor and Storage

시리즈

-

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

40V

전류-평균 정류 (Io)

1A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

490mV @ 700mA

속도

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

60µA @ 40V

커패시턴스 @ Vr, F

35pF @ 10V, 1MHz

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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