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UNR52AFG0L

UNR52AFG0L

참조 용

부품 번호 UNR52AFG0L
PNEDA 부품 번호 UNR52AFG0L
설명 TRANS PREBIAS NPN 150MW SMINI3
제조업체 Panasonic Electronic Components
단가 견적 요청
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창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 3월 5 - 3월 10 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

UNR52AFG0L 리소스

브랜드 Panasonic Electronic Components
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호UNR52AFG0L
분류반도체트랜지스터트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스
데이터 시트
UNR52AFG0L, UNR52AFG0L 데이터 시트 (총 페이지: 4, 크기: 680.24 KB)
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UNR52AFG0L 사양

제조업체Panasonic Electronic Components
시리즈-
트랜지스터 유형NPN - Pre-Biased
전류-수집기 (Ic) (최대)80mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)50V
저항-베이스 (R1)4.7 kOhms
저항-이미 터베이스 (R2)10 kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce30 @ 5mA, 10V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic250mV @ 300µA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대)500nA
주파수-전환150MHz
전력-최대150mW
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스SC-85
공급자 장치 패키지SMini3-F2

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트랜지스터 유형

PNP - Pre-Biased

전류-수집기 (Ic) (최대)

500mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

50V

저항-베이스 (R1)

4.7 kOhms

저항-이미 터베이스 (R2)

10 kOhms

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

70 @ 50mA, 5V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

100mV @ 2.5mA, 50mA

전류-수집기 차단 (최대)

500nA

주파수-전환

150MHz

전력-최대

325mW

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

3-XDFN Exposed Pad

공급자 장치 패키지

DFN1010D-3

DTC114EEFRATL

Rohm Semiconductor

제조업체

Rohm Semiconductor

시리즈

Automotive, AEC-Q101

트랜지스터 유형

NPN - Pre-Biased

전류-수집기 (Ic) (최대)

50mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

50V

저항-베이스 (R1)

10 kOhms

저항-이미 터베이스 (R2)

10 kOhms

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

30 @ 5mA, 5V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

300mV @ 500nA, 10mA

전류-수집기 차단 (최대)

500nA

주파수-전환

250MHz

전력-최대

150mW

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SC-75, SOT-416

공급자 장치 패키지

EMT3

UNR52AMG0L

Panasonic Electronic Components

제조업체

Panasonic Electronic Components

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN - Pre-Biased

전류-수집기 (Ic) (최대)

80mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

50V

저항-베이스 (R1)

2.2 kOhms

저항-이미 터베이스 (R2)

47 kOhms

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

80 @ 5mA, 10V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

250mV @ 300µA, 10mA

전류-수집기 차단 (최대)

500nA

주파수-전환

150MHz

전력-최대

150mW

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SC-85

공급자 장치 패키지

SMini3-F2

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

PNP - Pre-Biased

전류-수집기 (Ic) (최대)

100mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

50V

저항-베이스 (R1)

47 kOhms

저항-이미 터베이스 (R2)

47 kOhms

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

80 @ 5mA, 5V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

150mV @ 500µA, 10mA

전류-수집기 차단 (최대)

1µA

주파수-전환

-

전력-최대

250mW

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

공급자 장치 패키지

SMT3; MPAK

DTA114WSATP

Rohm Semiconductor

제조업체

Rohm Semiconductor

시리즈

-

트랜지스터 유형

PNP - Pre-Biased

전류-수집기 (Ic) (최대)

100mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

50V

저항-베이스 (R1)

10 kOhms

저항-이미 터베이스 (R2)

4.7 kOhms

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

24 @ 10mA, 5V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

300mV @ 500µA, 10mA

전류-수집기 차단 (최대)

500nA

주파수-전환

250MHz

전력-최대

300mW

장착 유형

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