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UP0411M00L

UP0411M00L

참조 용

부품 번호 UP0411M00L
PNEDA 부품 번호 UP0411M00L
설명 TRANS PREBIAS DUAL PNP SSMINI6
제조업체 Panasonic Electronic Components
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

UP0411M00L 리소스

브랜드 Panasonic Electronic Components
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호UP0411M00L
분류반도체트랜지스터트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스
데이터 시트
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  • UP0411M00L Distributor

UP0411M00L 사양

제조업체Panasonic Electronic Components
시리즈-
트랜지스터 유형2 PNP - Pre-Biased (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대)100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)50V
저항-베이스 (R1)2.2kOhms
저항-이미 터베이스 (R2)47kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce80 @ 5mA, 10V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic250mV @ 300µA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대)500nA
주파수-전환80MHz
전력-최대125mW
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스SOT-563, SOT-666
공급자 장치 패키지SSMINI6-F1

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제조업체

Toshiba Semiconductor and Storage

시리즈

-

트랜지스터 유형

2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled)

전류-수집기 (Ic) (최대)

100mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

50V

저항-베이스 (R1)

22kOhms

저항-이미 터베이스 (R2)

-

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

120 @ 1mA, 5V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

300mV @ 250µA, 5mA

전류-수집기 차단 (최대)

100nA (ICBO)

주파수-전환

200MHz

전력-최대

100mW

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SOT-553

공급자 장치 패키지

ESV

HD1A3M(0)-T1-AZ

Renesas Electronics America

제조업체

Renesas Electronics America

시리즈

HD1

트랜지스터 유형

NPN - Pre-Biased

전류-수집기 (Ic) (최대)

1A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

60V

저항-베이스 (R1)

1kOhms

저항-이미 터베이스 (R2)

1kOhms

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

200 @ 1A, 2V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

-

전류-수집기 차단 (최대)

100nA (ICBO)

주파수-전환

-

전력-최대

2W

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-243AA

공급자 장치 패키지

SC-62

PBLS6003D,115

Nexperia

제조업체

Nexperia USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

1 NPN Pre-Biased, 1 PNP

전류-수집기 (Ic) (최대)

100mA, 700mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

50V, 60V

저항-베이스 (R1)

10kOhms

저항-이미 터베이스 (R2)

10kOhms

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

30 @ 5mA, 5V / 150 @ 500mA, 5V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

150mV @ 500µA, 10mA / 340mV @ 100mA, 1A

전류-수집기 차단 (최대)

1µA, 100nA

주파수-전환

185MHz

전력-최대

600mW

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SC-74, SOT-457

공급자 장치 패키지

6-TSOP

EMD4T2R

Rohm Semiconductor

제조업체

Rohm Semiconductor

시리즈

-

트랜지스터 유형

1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)

전류-수집기 (Ic) (최대)

100mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

50V

저항-베이스 (R1)

47kOhms, 10kOhms

저항-이미 터베이스 (R2)

47kOhms

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

68 @ 5mA, 5V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

300mV @ 500µA, 10mA / 300mV @ 250µA, 5mA

전류-수집기 차단 (최대)

500nA

주파수-전환

250MHz

전력-최대

150mW

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SOT-563, SOT-666

공급자 장치 패키지

EMT6

DDC122LH-7

Diodes Incorporated

제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

-

트랜지스터 유형

2 NPN - Pre-Biased (Dual)

전류-수집기 (Ic) (최대)

100mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

50V

저항-베이스 (R1)

220Ohms

저항-이미 터베이스 (R2)

10kOhms

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

56 @ 10mA, 5V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

300mV @ 250µA, 5mA

전류-수집기 차단 (최대)

500nA

주파수-전환

200MHz

전력-최대

150mW

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SOT-563, SOT-666

공급자 장치 패키지

SOT-563

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