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UP0487C00L

UP0487C00L

참조 용

부품 번호 UP0487C00L
PNEDA 부품 번호 UP0487C00L
설명 MOSFET 2N-CH 20V 0.1A SSMINI-6
제조업체 Panasonic Electronic Components
단가 견적 요청
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UP0487C00L 리소스

브랜드 Panasonic Electronic Components
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호UP0487C00L
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이
데이터 시트
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  • UP0487C00L Distributor

UP0487C00L 사양

제조업체Panasonic Electronic Components
시리즈-
FET 유형2 N-Channel (Dual)
FET 기능Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss)20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)100mA
Rds On (최대) @ Id, Vgs4Ohm @ 10mA, 4V
Vgs (th) (최대) @ Id1.3V @ 50µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs-
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds10pF @ 3V
전력-최대125mW
작동 온도125°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스SOT-563, SOT-666
공급자 장치 패키지SSMINI6-F1

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ON Semiconductor

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드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

4.5A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

59mOhm @ 2A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

-

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

4.4nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

240pF @ 10V

전력-최대

1.5W

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SMD, Flat Lead

공급자 장치 패키지

8-ECH

SI7540ADP-T1-GE3

Vishay Siliconix

제조업체

Vishay Siliconix

시리즈

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FET 유형

N and P-Channel

FET 기능

-

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

12A, 9A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

28mOhm @ 12A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

48nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1310pF @ 10V

전력-최대

3.5W

작동 온도

-55°C ~ 150°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

PowerPAK® SO-8 Dual

공급자 장치 패키지

PowerPAK® SO-8 Dual

UPA2350T1P-E4-A

Renesas Electronics America

제조업체

Renesas Electronics America

시리즈

-

FET 유형

2 N-Channel (Dual) Common Drain

FET 기능

Logic Level Gate, 2.5V Drive

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

6A (Ta)

Rds On (최대) @ Id, Vgs

35mOhm @ 3A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.5V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

8.6nC @ 4V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

542pF @ 10V

전력-최대

1.3W (Ta)

작동 온도

150°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

4-XFLGA

공급자 장치 패키지

4-EFLIP-LGA (1.62x1.62)

AO4818B

Alpha & Omega Semiconductor

제조업체

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

시리즈

-

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

8A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

19mOhm @ 8A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

18nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

888pF @ 15V

전력-최대

2W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOIC

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제조업체

Infineon Technologies

시리즈

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FET 유형

2 P-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

1.5A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

140mOhm @ 1.5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2V @ 6.3µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

2.9nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

294pF @ 15V

전력-최대

500mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

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