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UPA2739T1A-E2-AY

UPA2739T1A-E2-AY

참조 용

부품 번호 UPA2739T1A-E2-AY
PNEDA 부품 번호 UPA2739T1A-E2-AY
설명 MOSFET P-CH 30V 85A 8-SON
제조업체 Renesas Electronics America
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

UPA2739T1A-E2-AY 리소스

브랜드 Renesas Electronics America
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호UPA2739T1A-E2-AY
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-단일
데이터 시트
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  • UPA2739T1A-E2-AY Distributor

UPA2739T1A-E2-AY 사양

제조업체Renesas Electronics America
시리즈-
FET 유형P-Channel
기술MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss)30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)85A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs5.7mOhm @ 23A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id-
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs153nC @ 10V
Vgs (최대)±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds6050pF @ 10V
FET 기능-
전력 손실 (최대)1.5W (Ta)
작동 온도150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
공급자 장치 패키지8-HVSON (5.4x5.15)
패키지 / 케이스8-PowerVDFN

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드레인-소스 전압 (Vdss)

25V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

33A (Ta), 100A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

3V, 8V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

2mOhm @ 30A, 8V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

25nC @ 4.5V

Vgs (최대)

+10V, -8V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

4000pF @ 12.5V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

3.1W (Ta)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

8-VSON-CLIP (5x6)

패키지 / 케이스

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FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

55V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

75A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

6mOhm @ 25A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

64nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

5100pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

254W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

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FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

200V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

31A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

75mOhm @ 15.5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

78nC @ 10V

Vgs (최대)

±30V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

3100pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

3.13W (Ta), 180W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

D²PAK (TO-263AB)

패키지 / 케이스

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제조업체

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드레인-소스 전압 (Vdss)

100V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

180A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

6Ohm @ 40A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

795nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

21000pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

360W (Tc)

작동 온도

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드레인-소스 전압 (Vdss)

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120A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

7.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

4mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

120nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

5100pF @ 50V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

375W (Tc)

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