US6K1TR
참조 용
| 부품 번호 | US6K1TR |
| PNEDA 부품 번호 | US6K1TR |
| 설명 | MOSFET 2N-CH 30V 1.5A TUMT6 |
| 제조업체 | Rohm Semiconductor |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 2,178 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 3월 17 - 3월 22 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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US6K1TR 리소스
| 브랜드 | Rohm Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | US6K1TR |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 |
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US6K1TR 사양
| 제조업체 | Rohm Semiconductor |
| 시리즈 | - |
| FET 유형 | 2 N-Channel (Dual) |
| FET 기능 | Logic Level Gate |
| 드레인-소스 전압 (Vdss) | 30V |
| 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 1.5A |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 240mOhm @ 1.5A, 4.5V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 1.5V @ 1mA |
| 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | 2.2nC @ 4.5V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 80pF @ 10V |
| 전력-최대 | 1W |
| 작동 온도 | 150°C (TJ) |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 패키지 / 케이스 | 6-SMD, Flat Leads |
| 공급자 장치 패키지 | TUMT6 |
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제조업체 Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈 U-MOSVIII-H FET 유형 2 N-Channel (Dual) FET 기능 Logic Level Gate, 4V Drive 드레인-소스 전압 (Vdss) 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 2A (Ta) Rds On (최대) @ Id, Vgs 103mOhm @ 2A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 2.5V @ 100µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 3.1nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 290pF @ 15V 전력-최대 1.8W (Ta) 작동 온도 150°C 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 6-SMD, Flat Leads 공급자 장치 패키지 6-TSOP-F |
제조업체 ON Semiconductor 시리즈 - FET 유형 2 P-Channel (Dual) FET 기능 Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss) 25V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 120mA Rds On (최대) @ Id, Vgs 10Ohm @ 200mA, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id 1.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 0.31nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 11pF @ 10V 전력-최대 700mW 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 공급자 장치 패키지 SuperSOT™-6 |
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