US6M2GTR
참조 용
| 부품 번호 | US6M2GTR | ||||||||||||||||||
| PNEDA 부품 번호 | US6M2GTR | ||||||||||||||||||
| 설명 | 2.5V DRIVE NCH+PCH MOSFET, 6 PIN | ||||||||||||||||||
| 제조업체 | Rohm Semiconductor | ||||||||||||||||||
| 단가 |
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| 재고 있음 | 73 | ||||||||||||||||||
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR | ||||||||||||||||||
| 예상 배송 | 4월 6 - 4월 11 (신속 배송 선택) | ||||||||||||||||||
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * | ||||||||||||||||||
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US6M2GTR 리소스
| 브랜드 | Rohm Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | US6M2GTR |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 |
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US6M2GTR 사양
| 제조업체 | Rohm Semiconductor |
| 시리즈 | - |
| FET 유형 | N and P-Channel |
| FET 기능 | Standard |
| 드레인-소스 전압 (Vdss) | 30V, 20V |
| 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 1.5A, 1A |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 240mOhm @ 1.5A, 4.5V, 390mOhm @ 1A, 4.5V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 1.5V @ 1mA, 2V @ 1mA |
| 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | 2.2nC @ 4.5V, 2.1nC @ 4.5V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 80pF @ 10V, 150pF @ 10V |
| 전력-최대 | 1W |
| 작동 온도 | 150°C |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 패키지 / 케이스 | 6-SMD, Flat Leads |
| 공급자 장치 패키지 | TUMT6 |
관심을 가질만한 제품
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제조업체 Diodes Incorporated 시리즈 - FET 유형 2 P-Channel (Dual) FET 기능 Standard 드레인-소스 전압 (Vdss) 12V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 3.8A Rds On (최대) @ Id, Vgs 61mOhm @ 3.6A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id 1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 17.9nC @ 8V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 915pF @ 6V 전력-최대 1.4W 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 6-UDFN Exposed Pad 공급자 장치 패키지 U-DFN2020-6 (Type B) |
제조업체 Diodes Incorporated 시리즈 - FET 유형 2 P-Channel (Dual) FET 기능 Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss) 50V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 130mA Rds On (최대) @ Id, Vgs 10Ohm @ 100mA, 5V Vgs (th) (최대) @ Id 2V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 45pF @ 25V 전력-최대 150mW 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 SOT-563, SOT-666 공급자 장치 패키지 SOT-563 |
제조업체 Microsemi Corporation 시리즈 - FET 유형 2 N-Channel (Half Bridge) FET 기능 Silicon Carbide (SiC) 드레인-소스 전압 (Vdss) 1200V (1.2kV) 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 55A (Tc) Rds On (최대) @ Id, Vgs 49mOhm @ 40A, 20V Vgs (th) (최대) @ Id 2.2V @ 2mA (Typ) 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 98nC @ 20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 1900pF @ 1000V 전력-최대 250W 작동 온도 -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Chassis Mount 패키지 / 케이스 SP1 공급자 장치 패키지 SP1 |
제조업체 Rohm Semiconductor 시리즈 - FET 유형 2 N-Channel (Dual) Common Source FET 기능 Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss) 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 2A Rds On (최대) @ Id, Vgs 100mOhm @ 2A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id 1.5V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 3.9nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 175pF @ 10V 전력-최대 1.25W 작동 온도 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5 공급자 장치 패키지 TSMT5 |
제조업체 Advanced Linear Devices Inc. 시리즈 EPAD® FET 유형 2 N-Channel (Dual) Matched Pair FET 기능 Standard 드레인-소스 전압 (Vdss) 10.6V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 12mA, 3mA Rds On (최대) @ Id, Vgs 500Ohm @ 5.4V Vgs (th) (최대) @ Id 1.42V @ 1µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 2.5pF @ 5V 전력-최대 500mW 작동 온도 0°C ~ 70°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 8-DIP (0.300", 7.62mm) 공급자 장치 패키지 8-PDIP |
