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VB20120SG-E3/8W

VB20120SG-E3/8W

참조 용

부품 번호 VB20120SG-E3/8W
PNEDA 부품 번호 VB20120SG-E3-8W
설명 DIODE SCHOTTKY 120V 20A TO263AB
제조업체 Vishay Semiconductor Diodes Division
단가 견적 요청
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예상 배송 4월 8 - 4월 13 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

VB20120SG-E3/8W 리소스

브랜드 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호VB20120SG-E3/8W
분류반도체다이오드 및 정류기정류기-싱글
데이터 시트
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VB20120SG-E3/8W 사양

제조업체Vishay Semiconductor Diodes Division
시리즈TMBS®
다이오드 유형Schottky
전압-DC 역방향 (Vr) (최대)120V
전류-평균 정류 (Io)20A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If1.33V @ 20A
속도Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr)-
전류-역방향 누설 @ Vr250µA @ 120V
커패시턴스 @ Vr, F-
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
공급자 장치 패키지TO-263AB
작동 온도-접합-40°C ~ 150°C

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전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

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전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

950mV @ 15A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

35ns

전류-역방향 누설 @ Vr

10µA @ 50V

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장착 유형

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전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

400V

전류-평균 정류 (Io)

1.1A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.2V @ 1.1A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

400ns

전류-역방향 누설 @ Vr

10µA @ 400V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

Axial

공급자 장치 패키지

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Taiwan Semiconductor Corporation

제조업체

Taiwan Semiconductor Corporation

시리즈

-

다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

90V

전류-평균 정류 (Io)

3A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

850mV @ 3A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

100µA @ 90V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

DO-214AB, SMC

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DO-214AB (SMC)

작동 온도-접합

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제조업체

Diodes Incorporated

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다이오드 유형

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전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

800V

전류-평균 정류 (Io)

1.5A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.15V @ 1.5A

속도

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

5µA @ 800V

커패시턴스 @ Vr, F

20pF @ 4V, 1MHz

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

DO-214AC, SMA

공급자 장치 패키지

SMA

작동 온도-접합

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ES1A-E3/5AT

Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

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다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

50V

전류-평균 정류 (Io)

1A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

920mV @ 1A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

25ns

전류-역방향 누설 @ Vr

5µA @ 50V

커패시턴스 @ Vr, F

10pF @ 4V, 1MHz

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Surface Mount

패키지 / 케이스

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