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VBT3045BP-M3/4W

VBT3045BP-M3/4W

참조 용

부품 번호 VBT3045BP-M3/4W
PNEDA 부품 번호 VBT3045BP-M3-4W
설명 DIODE SCHOTTKY 30A 45V TO-263AB
제조업체 Vishay Semiconductor Diodes Division
단가 견적 요청
재고 있음 7,290
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 11월 27 - 12월 2 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

VBT3045BP-M3/4W 리소스

브랜드 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호VBT3045BP-M3/4W
분류반도체다이오드 및 정류기정류기-싱글
데이터 시트
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VBT3045BP-M3/4W 사양

제조업체Vishay Semiconductor Diodes Division
시리즈-
다이오드 유형Schottky
전압-DC 역방향 (Vr) (최대)45V
전류-평균 정류 (Io)30A (DC)
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If700mV @ 30A
속도Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr)-
전류-역방향 누설 @ Vr2mA @ 45V
커패시턴스 @ Vr, F-
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
공급자 장치 패키지TO-263AB
작동 온도-접합-40°C ~ 150°C

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전류-평균 정류 (Io)

30mA (DC)

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

370mV @ 1mA

속도

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

500nA @ 30V

커패시턴스 @ Vr, F

2.5pF @ 1V, 1MHz

장착 유형

Surface Mount

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전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

400V

전류-평균 정류 (Io)

2A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.25V @ 1A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

50ns

전류-역방향 누설 @ Vr

10µA @ 400V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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Vishay Semiconductor Diodes Division

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Vishay Semiconductor Diodes Division

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다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

40V

전류-평균 정류 (Io)

1A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

550mV @ 1A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

200µA @ 40V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

MicroSMP

공급자 장치 패키지

MicroSMP

작동 온도-접합

-55°C ~ 150°C

S4PJ-M3/86A

Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

eSMP®

다이오드 유형

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전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

600V

전류-평균 정류 (Io)

4A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.1V @ 4A

속도

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

2.5µs

전류-역방향 누설 @ Vr

10µA @ 600V

커패시턴스 @ Vr, F

30pF @ 4V, 1MHz

장착 유형

Surface Mount

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다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

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전류-평균 정류 (Io)

3A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

500mV @ 3A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

500µA @ 40V

커패시턴스 @ Vr, F

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