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VEMD5510C

VEMD5510C

참조 용

부품 번호 VEMD5510C
PNEDA 부품 번호 VEMD5510C
설명 SENSOR PHOTODIODE 550NM 4SMD
제조업체 Vishay Semiconductor Opto Division
단가 견적 요청
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예상 배송 1월 18 - 1월 23 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

VEMD5510C 리소스

브랜드 Vishay Semiconductor Opto Division
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호VEMD5510C
분류센서광 센서광 센서-포토 다이오드
데이터 시트
VEMD5510C, VEMD5510C 데이터 시트 (총 페이지: 7, 크기: 141.65 KB)
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  • VEMD5510C Distributor

VEMD5510C 사양

제조업체Vishay Semiconductor Opto Division
시리즈-
파장550nm
색상-강화-
분광 범위440nm ~ 700nm
다이오드 유형PIN
nm에서의 반응-
응답 시간70ns
전압-DC 역방향 (Vr) (최대)-
전류-어둡게 (일반)200pA
활성 영역7.5mm²
시야각130°
작동 온도-40°C ~ 100°C
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스4-SMD, No Lead Exposed Pad

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PIN

nm에서의 반응

-

응답 시간

25ns

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

32V

전류-어둡게 (일반)

2nA

활성 영역

7.34mm²

시야각

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작동 온도

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다이오드 유형

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nm에서의 반응

0.6 A/W @ 940nm

응답 시간

2ns

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

50V

전류-어둡게 (일반)

1nA

활성 영역

5mm²

시야각

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작동 온도

-40°C ~ 100°C

장착 유형

Through Hole

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분광 범위

190nm ~ 1100nm

다이오드 유형

PIN

nm에서의 반응

0.18 A/W @ 254nm

응답 시간

40ns

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

30V

전류-어둡게 (일반)

45pA

활성 영역

0.87mm²

시야각

72°

작동 온도

-40°C ~ 125°C

장착 유형

Through Hole

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다이오드 유형

-

nm에서의 반응

-

응답 시간

-

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

160V

전류-어둡게 (일반)

100nA

활성 영역

19.7mm²

시야각

-

작동 온도

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장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

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분광 범위

350nm ~ 1100nm

다이오드 유형

-

nm에서의 반응

0.55 A/W @ 900nm

응답 시간

13ns

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

50V

전류-어둡게 (일반)

900pA

활성 영역

3.1mm² (x2)

시야각

80°

작동 온도

-40°C ~ 125°C

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

-

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