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VHM40-06P1

VHM40-06P1

참조 용

부품 번호 VHM40-06P1
PNEDA 부품 번호 VHM40-06P1
설명 MOSFET 2N-CH 600V 38A ECO-PAC2
제조업체 IXYS
단가 견적 요청
재고 있음 5,436
창고 Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

VHM40-06P1 리소스

브랜드 IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호VHM40-06P1
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이
데이터 시트
VHM40-06P1, VHM40-06P1 데이터 시트 (총 페이지: 3, 크기: 91.83 KB)
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VHM40-06P1 사양

제조업체IXYS
시리즈-
FET 유형2 N-Channel (Dual)
FET 기능Standard
드레인-소스 전압 (Vdss)600V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)38A
Rds On (최대) @ Id, Vgs70mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id5.5V @ 3mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs220nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds-
전력-최대-
작동 온도-40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Chassis Mount
패키지 / 케이스ECO-PAC2
공급자 장치 패키지ECO-PAC2

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제조업체

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시리즈

-

FET 유형

4 N-Channel (H-Bridge)

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

500V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

46A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

90mOhm @ 23A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

5V @ 2.5mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

123nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

5600pF @ 25V

전력-최대

357W

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

SP3

공급자 장치 패키지

SP3

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ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

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FET 유형

2 N-Channel (Dual) Common Drain

FET 기능

Logic Level Gate, 2.5V Drive

드레인-소스 전압 (Vdss)

24V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

9A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

15mOhm @ 4A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.3V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

4.4nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

전력-최대

1.3W

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SMD, Flat Lead

공급자 장치 패키지

SOT-383FL, EMH8

NVMFD5C470NLT1G

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

Automotive, AEC-Q101

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

40V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

11A (Ta), 36A (Tc)

Rds On (최대) @ Id, Vgs

11.5mOhm @ 5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.2V @ 20µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

4nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

590pF @ 25V

전력-최대

3W (Ta), 24W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-PowerTDFN

공급자 장치 패키지

8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)

UPA1764G(0)-E1-AZ

Renesas Electronics America

제조업체

Renesas Electronics America

시리즈

-

FET 유형

-

FET 기능

-

드레인-소스 전압 (Vdss)

-

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

-

Rds On (최대) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (최대) @ Id

-

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

전력-최대

-

작동 온도

-

장착 유형

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

APTM10TDUM09PG

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

FET 유형

6 N-Channel (3-Phase Bridge)

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

100V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

139A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

10mOhm @ 69.5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 2.5mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

350nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

9875pF @ 25V

전력-최대

390W

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

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