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VKM60-01P1

VKM60-01P1

참조 용

부품 번호 VKM60-01P1
PNEDA 부품 번호 VKM60-01P1
설명 MOSFET 4N-CH 100V 75A ECO-PAC2
제조업체 IXYS
단가 견적 요청
재고 있음 5,940
창고 Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

VKM60-01P1 리소스

브랜드 IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호VKM60-01P1
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이
데이터 시트
VKM60-01P1, VKM60-01P1 데이터 시트 (총 페이지: 4, 크기: 83.22 KB)
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VKM60-01P1 사양

제조업체IXYS
시리즈HiPerFET™
FET 유형4 N-Channel (H-Bridge)
FET 기능Standard
드레인-소스 전압 (Vdss)100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)75A
Rds On (최대) @ Id, Vgs25mOhm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id4V @ 4mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs260nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds4500pF @ 25V
전력-최대300W
작동 온도-40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스ECO-PAC2
공급자 장치 패키지ECO-PAC2

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드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

4.4A, 3.7A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

36mOhm @ 5.9A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

1V @ 250µA (Min)

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

20nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

전력-최대

1.1W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SO

ALD212900PAL

Advanced Linear Devices Inc.

제조업체

Advanced Linear Devices Inc.

시리즈

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FET 유형

2 N-Channel (Dual) Matched Pair

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

10.6V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

80mA

Rds On (최대) @ Id, Vgs

14Ohm

Vgs (th) (최대) @ Id

20mV @ 20µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

30pF @ 5V

전력-최대

500mW

작동 온도

0°C ~ 70°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

8-DIP (0.300", 7.62mm)

공급자 장치 패키지

8-PDIP

FDS6894AZ

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

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FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

8A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

17mOhm @ 8A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

20nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1455pF @ 10V

전력-최대

900mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOIC

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ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

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FET 유형

2 N-Channel (Dual) Common Drain

FET 기능

Logic Level Gate, 2.5V Drive

드레인-소스 전압 (Vdss)

-

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

-

Rds On (최대) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (최대) @ Id

-

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

25.4nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

전력-최대

1.6W

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

4-XBGA, 4-FCBGA

공급자 장치 패키지

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시리즈

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FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

6A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

30mOhm @ 6A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.5V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

10.1nC @ 5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

520pF @ 10V

전력-최대

2W

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

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