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VLA553-01R

VLA553-01R

참조 용

부품 번호 VLA553-01R
PNEDA 부품 번호 VLA553-01R
설명 IC IGBT GATE DVR ISO 5A
제조업체 Powerex Inc.
단가 견적 요청
재고 있음 3,240
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 11월 24 - 11월 29 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

VLA553-01R 리소스

브랜드 Powerex Inc.
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호VLA553-01R
분류반도체전력 관리 ICPMIC-게이트 드라이버
데이터 시트
VLA553-01R, VLA553-01R 데이터 시트 (총 페이지: 7, 크기: 759.48 KB)
PDFVLA553-02R 데이터 시트 표지
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VLA553-01R 사양

제조업체Powerex Inc.
시리즈-
구동 구성Half-Bridge
채널 유형Independent
드라이버 수2
게이트 유형IGBT
전압-공급14.2V ~ 15.8V
논리 전압-VIL, VIH-
전류-피크 출력 (소스, 싱크)24A, 24A
입력 유형Non-Inverting
높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)-
상승 / 하강 시간 (일반)-
작동 온도-25°C ~ 70°C (TA)
장착 유형Chassis Mount
패키지 / 케이스Module
공급자 장치 패키지OctaPAK 7+1

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Microchip Technology

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구동 구성

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채널 유형

Single

드라이버 수

1

게이트 유형

N-Channel, P-Channel MOSFET

전압-공급

4.5V ~ 18V

논리 전압-VIL, VIH

0.8V, 2.4V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

6A, 6A

입력 유형

Non-Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

-

상승 / 하강 시간 (일반)

12ns, 13ns

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOIC

IR2137Q

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

구동 구성

Half-Bridge

채널 유형

3-Phase

드라이버 수

3

게이트 유형

IGBT

전압-공급

12.5V ~ 20V

논리 전압-VIL, VIH

-

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

-

입력 유형

Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

600V

상승 / 하강 시간 (일반)

115ns, 25ns

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

64-BQFP

공급자 장치 패키지

64-MQFP (20x14)

MCP14700-E/MF

Microchip Technology

제조업체

Microchip Technology

시리즈

-

구동 구성

Half-Bridge

채널 유형

Independent

드라이버 수

2

게이트 유형

N-Channel MOSFET

전압-공급

4.5V ~ 5.5V

논리 전압-VIL, VIH

-

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

2A, 2A

입력 유형

Non-Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

36V

상승 / 하강 시간 (일반)

10ns, 10ns

작동 온도

-40°C ~ 125°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-VDFN Exposed Pad

공급자 장치 패키지

8-DFN-EP (3x3)

LM5100BMAX/NOPB

Texas Instruments

제조업체

시리즈

-

구동 구성

Half-Bridge

채널 유형

Independent

드라이버 수

2

게이트 유형

N-Channel MOSFET

전압-공급

9V ~ 14V

논리 전압-VIL, VIH

2.3V, -

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

2A, 2A

입력 유형

Non-Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

118V

상승 / 하강 시간 (일반)

570ns, 430ns

작동 온도

-40°C ~ 125°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOIC

IRS2302STRPBF

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

구동 구성

Half-Bridge

채널 유형

Synchronous

드라이버 수

2

게이트 유형

IGBT, N-Channel MOSFET

전압-공급

5V ~ 20V

논리 전압-VIL, VIH

0.8V, 2.5V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

200mA, 350mA

입력 유형

Non-Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

600V

상승 / 하강 시간 (일반)

130ns, 50ns

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOIC

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