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VMO60-05F

VMO60-05F

참조 용

부품 번호 VMO60-05F
PNEDA 부품 번호 VMO60-05F
설명 MOSFET N-CH 500V 60A TO-240AA
제조업체 IXYS
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

VMO60-05F 리소스

브랜드 IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호VMO60-05F
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-단일
데이터 시트
VMO60-05F, VMO60-05F 데이터 시트 (총 페이지: 2, 크기: 43.29 KB)
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VMO60-05F 데이터 시트 페이지 2

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VMO60-05F 사양

제조업체IXYS
시리즈HiPerFET™
FET 유형N-Channel
기술MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss)500V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)60A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs75mOhm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id4V @ 24mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs405nC @ 10V
Vgs (최대)±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds12600pF @ 25V
FET 기능-
전력 손실 (최대)590W (Tc)
작동 온도-40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Chassis Mount
공급자 장치 패키지TO-240AA
패키지 / 케이스TO-240AA

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FET 유형

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MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

13A (Ta), 68A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

4.7mOhm @ 30A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

17.2nC @ 4.5V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1710pF @ 15V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

1.39W (Ta), 38.5W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

I-PAK

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제조업체

Vishay Siliconix

시리즈

TrenchFET®

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

100V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

60A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

6mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

84nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

2840pF @ 50V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

6.25W (Ta), 104W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

PowerPAK® SO-8

패키지 / 케이스

PowerPAK® SO-8

IPB60R360P7ATMA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

CoolMOS™ P7

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

600V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

9A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

360mOhm @ 2.7A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 140µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

13nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

555pF @ 400V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

41W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

D²PAK (TO-263AB)

패키지 / 케이스

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

IRF1404ZSTRLPBF

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제조업체

Infineon Technologies

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HEXFET®

FET 유형

N-Channel

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MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

40V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

180A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

3.7mOhm @ 75A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 150µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

150nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

4340pF @ 25V

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-

전력 손실 (최대)

200W (Tc)

작동 온도

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D²PAK (TO-263AB)

패키지 / 케이스

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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Vishay Siliconix

제조업체

Vishay Siliconix

시리즈

-

FET 유형

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기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

100V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

9.2A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4V, 5V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

270mOhm @ 5.5A, 5V

Vgs (th) (최대) @ Id

2V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

12nC @ 5V

Vgs (최대)

±10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

490pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

60W (Tc)

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