VN2224N3-G
참조 용
| 부품 번호 | VN2224N3-G |
| PNEDA 부품 번호 | VN2224N3-G |
| 설명 | MOSFET N-CH 240V 540MA TO92-3 |
| 제조업체 | Microchip Technology |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 19,608 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 6월 19 - 6월 24 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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VN2224N3-G 리소스
| 브랜드 | Microchip Technology |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | VN2224N3-G |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-단일 |
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VN2224N3-G 사양
| 제조업체 | Microchip Technology |
| 시리즈 | - |
| FET 유형 | N-Channel |
| 기술 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 드레인-소스 전압 (Vdss) | 240V |
| 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 540mA (Tj) |
| 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 5V, 10V |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 1.25Ohm @ 2A, 10V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 3V @ 5mA |
| 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | - |
| Vgs (최대) | ±20V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 350pF @ 25V |
| FET 기능 | - |
| 전력 손실 (최대) | 1W (Tc) |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 장착 유형 | Through Hole |
| 공급자 장치 패키지 | TO-92-3 |
| 패키지 / 케이스 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
관심을 가질만한 제품
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제조업체 Diodes Incorporated 시리즈 Automotive, AEC-Q101 FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 12A (Ta), 50A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 3.8V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 11mOhm @ 14.4A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 12nC @ 10V Vgs (최대) ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 823pF @ 15V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 2.3W (Ta), 35.7W (Tc) 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount, Wettable Flank 공급자 장치 패키지 PowerDI3333-8 (SWP) Type UX 패키지 / 케이스 8-PowerVDFN |
제조업체 ON Semiconductor 시리즈 µCool™ FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 3.6A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 1.8V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs 35mOhm @ 2A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id 1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 13nC @ 4.5V Vgs (최대) ±12V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 650pF @ 15V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 700mW (Ta) 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 공급자 장치 패키지 6-WDFN (2x2) 패키지 / 케이스 6-WDFN Exposed Pad |
제조업체 ON Semiconductor 시리즈 Automotive, AEC-Q101 FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 40V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 52A (Ta), 353A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 0.8mOhm @ 50A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 4V @ 280µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 110nC @ 10V Vgs (최대) ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 7288pF @ 20V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 3.9W (Ta), 179W (Tc) 작동 온도 -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 공급자 장치 패키지 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 패키지 / 케이스 8-PowerTDFN, 5 Leads |
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