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VOD207T

VOD207T

참조 용

부품 번호 VOD207T
PNEDA 부품 번호 VOD207T
설명 OPTOISOLATOR 4KV 2CH TRANS 8SOIC
제조업체 Vishay Semiconductor Opto Division
단가 견적 요청
재고 있음 20,304
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 3월 15 - 3월 20 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

VOD207T 리소스

브랜드 Vishay Semiconductor Opto Division
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호VOD207T
분류반도체절연체광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력
데이터 시트
VOD207T, VOD207T 데이터 시트 (총 페이지: 7, 크기: 121.22 KB)
PDFVOD211T 데이터 시트 표지
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VOD207T 사양

제조업체Vishay Semiconductor Opto Division
시리즈-
채널 수2
전압-절연4000Vrms
전류 전송 비율 (최소)100% @ 10mA
전류 전송 비율 (최대)200% @ 10mA
켜기 / 끄기 시간 (일반)5µs, 4µs
상승 / 하강 시간 (일반)5µs, 4µs
입력 유형DC
출력 유형Transistor
전압-출력 (최대)70V
전류-출력 / 채널50mA
전압-순방향 (Vf) (통상)1.2V
전류-DC 순방향 (If) (최대)30mA
Vce 포화 (최대)400mV
작동 온도-40°C ~ 100°C
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지8-SOIC

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Vishay Semiconductor Opto Division

제조업체

Vishay Semiconductor Opto Division

시리즈

-

채널 수

1

전압-절연

5000Vrms

전류 전송 비율 (최소)

160% @ 10mA

전류 전송 비율 (최대)

320% @ 10mA

켜기 / 끄기 시간 (일반)

4µs, 4.7µs

상승 / 하강 시간 (일반)

4µs, 4.7µs

입력 유형

DC

출력 유형

Transistor

전압-출력 (최대)

70V

전류-출력 / 채널

50mA

전압-순방향 (Vf) (통상)

1.25V

전류-DC 순방향 (If) (최대)

60mA

Vce 포화 (최대)

300mV

작동 온도

-55°C ~ 100°C

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

6-DIP (0.400", 10.16mm)

공급자 장치 패키지

6-DIP

SFH6106-1X001T

Vishay Semiconductor Opto Division

제조업체

Vishay Semiconductor Opto Division

시리즈

-

채널 수

1

전압-절연

5300Vrms

전류 전송 비율 (최소)

40% @ 10mA

전류 전송 비율 (최대)

80% @ 10mA

켜기 / 끄기 시간 (일반)

3µs, 2.3µs

상승 / 하강 시간 (일반)

2µs, 2µs

입력 유형

DC

출력 유형

Transistor

전압-출력 (최대)

70V

전류-출력 / 채널

50mA

전압-순방향 (Vf) (통상)

1.25V

전류-DC 순방향 (If) (최대)

60mA

Vce 포화 (최대)

400mV

작동 온도

-55°C ~ 100°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

4-SMD, Gull Wing

공급자 장치 패키지

4-SMD

OCP-PCT218/E

Lumex Opto/Components Inc.

제조업체

Lumex Opto/Components Inc.

시리즈

-

채널 수

2

전압-절연

5000Vrms

전류 전송 비율 (최소)

60% @ 2mA

전류 전송 비율 (최대)

600% @ 2mA

켜기 / 끄기 시간 (일반)

-

상승 / 하강 시간 (일반)

5µs, 4µs

입력 유형

DC

출력 유형

Transistor

전압-출력 (최대)

60V

전류-출력 / 채널

50mA

전압-순방향 (Vf) (통상)

1.2V

전류-DC 순방향 (If) (최대)

50mA

Vce 포화 (최대)

300mV

작동 온도

-30°C ~ 100°C

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

8-DIP (0.300", 7.62mm)

공급자 장치 패키지

8-DIP

TLP385(D4Y-TPR,E

Toshiba Semiconductor and Storage

제조업체

Toshiba Semiconductor and Storage

시리즈

-

채널 수

1

전압-절연

5000Vrms

전류 전송 비율 (최소)

50% @ 5mA

전류 전송 비율 (최대)

150% @ 5mA

켜기 / 끄기 시간 (일반)

3µs, 3µs

상승 / 하강 시간 (일반)

2µs, 3µs

입력 유형

DC

출력 유형

Transistor

전압-출력 (최대)

80V

전류-출력 / 채널

50mA

전압-순방향 (Vf) (통상)

1.25V

전류-DC 순방향 (If) (최대)

50mA

Vce 포화 (최대)

300mV

작동 온도

-55°C ~ 110°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

6-SOIC (0.295", 7.50mm Width), 4 Leads

공급자 장치 패키지

6-SO, 4 Lead

CNY17-1X001

Vishay Semiconductor Opto Division

제조업체

Vishay Semiconductor Opto Division

시리즈

-

채널 수

1

전압-절연

5000Vrms

전류 전송 비율 (최소)

40% @ 10mA

전류 전송 비율 (최대)

80% @ 10mA

켜기 / 끄기 시간 (일반)

3µs, 2.3µs

상승 / 하강 시간 (일반)

2µs, 2µs

입력 유형

DC

출력 유형

Transistor with Base

전압-출력 (최대)

70V

전류-출력 / 채널

50mA

전압-순방향 (Vf) (통상)

1.39V

전류-DC 순방향 (If) (최대)

60mA

Vce 포화 (최대)

400mV

작동 온도

-55°C ~ 110°C

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

6-DIP (0.300", 7.62mm)

공급자 장치 패키지

6-DIP

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BCP53-16T1G

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MT47H64M16NF-25E AIT:M

Micron Technology Inc.

IC DRAM 1G PARALLEL 84FBGA

PC28F00AP30EFA

PC28F00AP30EFA

Micron Technology Inc.

IC FLASH 1G PARALLEL 64EASYBGA