VQ1001P-2
참조 용
| 부품 번호 | VQ1001P-2 |
| PNEDA 부품 번호 | VQ1001P-2 |
| 설명 | MOSFET 4N-CH 30V 0.83A 14DIP |
| 제조업체 | Vishay Siliconix |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 5,994 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 3월 25 - 3월 30 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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VQ1001P-2 리소스
| 브랜드 | Vishay Siliconix |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | VQ1001P-2 |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 |
| 데이터 시트 |
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VQ1001P-2 사양
| 제조업체 | Vishay Siliconix |
| 시리즈 | - |
| FET 유형 | 4 N-Channel |
| FET 기능 | Logic Level Gate |
| 드레인-소스 전압 (Vdss) | 30V |
| 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 830mA |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 1.75Ohm @ 200mA, 5V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 2.5V @ 1mA |
| 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | - |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 110pF @ 15V |
| 전력-최대 | 2W |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 장착 유형 | Through Hole |
| 패키지 / 케이스 | - |
| 공급자 장치 패키지 | 14-DIP |
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