VRF191MP
참조 용
| 부품 번호 | VRF191MP |
| PNEDA 부품 번호 | VRF191MP |
| 설명 | MOSFET RF N-CH 100V 150W T11 |
| 제조업체 | Microsemi |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 4,338 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 11월 24 - 11월 29 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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VRF191MP 리소스
| 브랜드 | Microsemi |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | VRF191MP |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-RF |
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VRF191MP 사양
| 제조업체 | Microsemi Corporation |
| 시리즈 | - |
| 트랜지스터 유형 | - |
| 주파수 | - |
| 이득 | - |
| 전압-테스트 | - |
| 전류 정격 (Amps) | - |
| 소음 수치 | - |
| 현재-테스트 | - |
| 전원-출력 | - |
| 전압-정격 | - |
| 패키지 / 케이스 | - |
| 공급자 장치 패키지 | - |
관심을 가질만한 제품
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제조업체 Cree/Wolfspeed 시리즈 * 트랜지스터 유형 - 주파수 - 이득 - 전압-테스트 - 전류 정격 (Amps) - 소음 수치 - 현재-테스트 - 전원-출력 - 전압-정격 - 패키지 / 케이스 - 공급자 장치 패키지 - |
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제조업체 STMicroelectronics 시리즈 - 트랜지스터 유형 LDMOS 주파수 500MHz 이득 16.9dB 전압-테스트 12.5V 전류 정격 (Amps) 7A 소음 수치 - 현재-테스트 200mA 전원-출력 35W 전압-정격 40V 패키지 / 케이스 PowerSO-10 Exposed Bottom Pad 공급자 장치 패키지 PowerSO-10RF (Straight Lead) |
제조업체 NXP USA Inc. 시리즈 - 트랜지스터 유형 LDMOS 주파수 2.11GHz 이득 14.5dB 전압-테스트 28V 전류 정격 (Amps) - 소음 수치 - 현재-테스트 850mA 전원-출력 19W 전압-정격 65V 패키지 / 케이스 NI-780S 공급자 장치 패키지 NI-780S |
제조업체 NXP USA Inc. 시리즈 - 트랜지스터 유형 LDMOS 주파수 1.3GHz 이득 22.7dB 전압-테스트 50V 전류 정격 (Amps) - 소음 수치 - 현재-테스트 100mA 전원-출력 250W 전압-정격 120V 패키지 / 케이스 SOT-957A 공급자 장치 패키지 NI-780H-2L |
