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VS-80APS16-M3

VS-80APS16-M3

참조 용

부품 번호 VS-80APS16-M3
PNEDA 부품 번호 VS-80APS16-M3
설명 DIODE GEN PURP 1.6KV 80A TO247AC
제조업체 Vishay Semiconductor Diodes Division
단가 견적 요청
재고 있음 7,938
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 11월 5 - 11월 10 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

VS-80APS16-M3 리소스

브랜드 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호VS-80APS16-M3
분류반도체다이오드 및 정류기정류기-싱글
데이터 시트
VS-80APS16-M3, VS-80APS16-M3 데이터 시트 (총 페이지: 6, 크기: 161.91 KB)
PDFVS-80APS16PBF 데이터 시트 표지
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VS-80APS16-M3 사양

제조업체Vishay Semiconductor Diodes Division
시리즈-
다이오드 유형Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대)1600V
전류-평균 정류 (Io)80A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If1.17V @ 80A
속도Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr)-
전류-역방향 누설 @ Vr100µA @ 1600V
커패시턴스 @ Vr, F-
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스TO-247-3
공급자 장치 패키지TO-247AC
작동 온도-접합-40°C ~ 150°C

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Taiwan Semiconductor Corporation

제조업체

Taiwan Semiconductor Corporation

시리즈

-

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

50V

전류-평균 정류 (Io)

1A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1V @ 1A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

50ns

전류-역방향 누설 @ Vr

5µA @ 50V

커패시턴스 @ Vr, F

15pF @ 4V, 1MHz

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

T-18, Axial

공급자 장치 패키지

TS-1

작동 온도-접합

-55°C ~ 150°C

HSM5100J/TR13

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

100V

전류-평균 정류 (Io)

5A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

800mV @ 5A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

250µA @ 100V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

DO-214AB, SMC

공급자 장치 패키지

DO-214AB

작동 온도-접합

-55°C ~ 175°C

MBRF1660-E3/45

Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

-

다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

60V

전류-평균 정류 (Io)

16A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

750mV @ 16A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

1mA @ 60V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-220-2 Full Pack, Isolated Tab

공급자 장치 패키지

ITO-220AC

작동 온도-접합

-65°C ~ 150°C

제조업체

IXYS

시리즈

-

다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

250V

전류-평균 정류 (Io)

18A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.5V @ 7.5A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

2mA @ 250V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

공급자 장치 패키지

TO-252AA

작동 온도-접합

-55°C ~ 175°C

IDH02G120C5XKSA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

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CoolSiC™+

다이오드 유형

Silicon Carbide Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

1200V

전류-평균 정류 (Io)

2A (DC)

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.65V @ 2A

속도

No Recovery Time > 500mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

0ns

전류-역방향 누설 @ Vr

18µA @ 1200V

커패시턴스 @ Vr, F

182pF @ 1V, 1MHz

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

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