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VS-8EWF04STRL-M3

VS-8EWF04STRL-M3

참조 용

부품 번호 VS-8EWF04STRL-M3
PNEDA 부품 번호 VS-8EWF04STRL-M3
설명 DIODE GEN PURP 400V 8A D-PAK
제조업체 Vishay Semiconductor Diodes Division
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예상 배송 1월 3 - 1월 8 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

VS-8EWF04STRL-M3 리소스

브랜드 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호VS-8EWF04STRL-M3
분류반도체다이오드 및 정류기정류기-싱글
데이터 시트
VS-8EWF04STRL-M3, VS-8EWF04STRL-M3 데이터 시트 (총 페이지: 8, 크기: 237.88 KB)
PDFVS-8EWF06STRR-M3 데이터 시트 표지
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  • VS-8EWF04STRL-M3 Distributor

VS-8EWF04STRL-M3 사양

제조업체Vishay Semiconductor Diodes Division
시리즈-
다이오드 유형Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대)400V
전류-평균 정류 (Io)8A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If1.2V @ 8A
속도Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr)55ns
전류-역방향 누설 @ Vr100µA @ 400V
커패시턴스 @ Vr, F-
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
공급자 장치 패키지D-PAK (TO-252AA)
작동 온도-접합-40°C ~ 150°C

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Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

Automotive, AEC-Q101, Superectifier®

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

50V

전류-평균 정류 (Io)

1A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1V @ 1A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

50ns

전류-역방향 누설 @ Vr

5µA @ 50V

커패시턴스 @ Vr, F

20pF @ 4V, 1MHz

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

DO-213AB, MELF (Glass)

공급자 장치 패키지

DO-213AB

작동 온도-접합

-65°C ~ 175°C

ES1PBHM3/85A

Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

eSMP®

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

100V

전류-평균 정류 (Io)

1A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

920mV @ 1A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

25ns

전류-역방향 누설 @ Vr

5µA @ 100V

커패시턴스 @ Vr, F

10pF @ 4V, 1MHz

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

DO-220AA

공급자 장치 패키지

DO-220AA (SMP)

작동 온도-접합

-55°C ~ 150°C

V15PM6HM3/H

Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

Automotive, AEC-Q101, eSMP®, TMBS®

다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

60V

전류-평균 정류 (Io)

15A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

640mV @ 15A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

1.2mA @ 60V

커패시턴스 @ Vr, F

2300pF @ 4V, 1MHz

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-277, 3-PowerDFN

공급자 장치 패키지

TO-277A (SMPC)

작동 온도-접합

-40°C ~ 175°C

S1DLHM2G

Taiwan Semiconductor Corporation

제조업체

Taiwan Semiconductor Corporation

시리즈

Automotive, AEC-Q101

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

200V

전류-평균 정류 (Io)

1A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.1V @ 1A

속도

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

1.8µs

전류-역방향 누설 @ Vr

5µA @ 200V

커패시턴스 @ Vr, F

9pF @ 4V, 1MHz

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

DO-219AB

공급자 장치 패키지

Sub SMA

작동 온도-접합

-55°C ~ 175°C

VS-40EPF02-M3

Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

-

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

200V

전류-평균 정류 (Io)

40A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.25V @ 40A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

180ns

전류-역방향 누설 @ Vr

100µA @ 200V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

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