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VS-EMG050J60N

VS-EMG050J60N

참조 용

부품 번호 VS-EMG050J60N
PNEDA 부품 번호 VS-EMG050J60N
설명 IGBT 600V 88A 338W EMIPAK2
제조업체 Vishay Semiconductor Diodes Division
단가 견적 요청
재고 있음 4,014
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 2월 2 - 2월 7 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

VS-EMG050J60N 리소스

브랜드 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호VS-EMG050J60N
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-모듈
데이터 시트
VS-EMG050J60N, VS-EMG050J60N 데이터 시트 (총 페이지: 12, 크기: 241.87 KB)
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VS-EMG050J60N 사양

제조업체Vishay Semiconductor Diodes Division
시리즈-
IGBT 유형-
구성Half Bridge
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)600V
전류-수집기 (Ic) (최대)88A
전력-최대338W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic2.1V @ 15V, 50A
전류-수집기 차단 (최대)100µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce9.5nF @ 30V
입력Standard
NTC 서미스터Yes
작동 온도150°C (TJ)
장착 유형Chassis Mount
패키지 / 케이스EMIPAK2
공급자 장치 패키지EMIPAK2

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43A

전력-최대

150W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 25A

전류-수집기 차단 (최대)

1.5mA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

-

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Three Phase Bridge Rectifier

NTC 서미스터

Yes

작동 온도

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Chassis Mount

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Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

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구성

Half Bridge

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

500A

전력-최대

1250W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

1.9V @ 15V, 400A

전류-수집기 차단 (최대)

500µA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

24nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

No

작동 온도

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Chassis Mount

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Half Bridge

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

100A

전력-최대

600W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

3.7V @ 15V, 100A

전류-수집기 차단 (최대)

1mA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

15nF @ 10V

입력

Standard

NTC 서미스터

No

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

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Microsemi

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전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

75A

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Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.7V @ 15V, 50A

전류-수집기 차단 (최대)

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입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

2.25nF @ 25V

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NTC 서미스터

No

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