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VS-ETH3006-1HM3

VS-ETH3006-1HM3

참조 용

부품 번호 VS-ETH3006-1HM3
PNEDA 부품 번호 VS-ETH3006-1HM3
설명 DIODE GEN PURP 600V 30A TO262AA
제조업체 Vishay Semiconductor Diodes Division
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

VS-ETH3006-1HM3 리소스

브랜드 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호VS-ETH3006-1HM3
분류반도체다이오드 및 정류기정류기-싱글
데이터 시트
VS-ETH3006-1HM3, VS-ETH3006-1HM3 데이터 시트 (총 페이지: 7, 크기: 130.48 KB)
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  • VS-ETH3006-1HM3 Distributor

VS-ETH3006-1HM3 사양

제조업체Vishay Semiconductor Diodes Division
시리즈Automotive, AEC-Q101, FRED Pt®
다이오드 유형Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대)600V
전류-평균 정류 (Io)30A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If2.65V @ 30A
속도Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr)26ns
전류-역방향 누설 @ Vr30µA @ 600V
커패시턴스 @ Vr, F-
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
공급자 장치 패키지TO-262AA
작동 온도-접합-65°C ~ 175°C

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전류-평균 정류 (Io)

1A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

700mV @ 1A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

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전류-평균 정류 (Io)

1A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

750mV @ 1A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

200µA @ 60V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

DO-214AC, SMA

공급자 장치 패키지

DO-214AC (SMA)

작동 온도-접합

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Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

-

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

400V

전류-평균 정류 (Io)

60A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.3V @ 60A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

180ns

전류-역방향 누설 @ Vr

100µA @ 400V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-2

공급자 장치 패키지

TO-247AC Modified

작동 온도-접합

-40°C ~ 150°C

VS-SD400C04C

Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

-

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

400V

전류-평균 정류 (Io)

800A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.86V @ 1930A

속도

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

15mA @ 400V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Clamp On

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전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

100V

전류-평균 정류 (Io)

1A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

900mV @ 1A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

25ns

전류-역방향 누설 @ Vr

1µA @ 100V

커패시턴스 @ Vr, F

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