VS-GB100TP120N
참조 용
| 부품 번호 | VS-GB100TP120N |
| PNEDA 부품 번호 | VS-GB100TP120N |
| 설명 | IGBT 1200V 200A 650W INT-A-PAK |
| 제조업체 | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 2,718 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 4월 19 - 4월 24 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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VS-GB100TP120N 리소스
| 브랜드 | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | VS-GB100TP120N |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-IGBT-모듈 |
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VS-GB100TP120N 사양
| 제조업체 | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| 시리즈 | - |
| IGBT 유형 | - |
| 구성 | Half Bridge |
| 전압-수집기 이미 터 고장 (최대) | 1200V |
| 전류-수집기 (Ic) (최대) | 200A |
| 전력-최대 | 650W |
| Vce (on) (최대) @ Vge, Ic | 2.2V @ 15V, 100A |
| 전류-수집기 차단 (최대) | 5mA |
| 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce | 7.43nF @ 25V |
| 입력 | Standard |
| NTC 서미스터 | No |
| 작동 온도 | 150°C (TJ) |
| 장착 유형 | Chassis Mount |
| 패키지 / 케이스 | INT-A-Pak |
| 공급자 장치 패키지 | INT-A-PAK |
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