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VS-GB200TS60NPBF

VS-GB200TS60NPBF

참조 용

부품 번호 VS-GB200TS60NPBF
PNEDA 부품 번호 VS-GB200TS60NPBF
설명 IGBT 600V 209A 781W INT-A-PAK
제조업체 Vishay Semiconductor Diodes Division
단가 견적 요청
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창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 1월 27 - 2월 1 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

VS-GB200TS60NPBF 리소스

브랜드 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호VS-GB200TS60NPBF
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-모듈
데이터 시트
VS-GB200TS60NPBF, VS-GB200TS60NPBF 데이터 시트 (총 페이지: 9, 크기: 194.25 KB)
PDFVS-GB200TS60NPBF 데이터 시트 표지
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VS-GB200TS60NPBF 사양

제조업체Vishay Semiconductor Diodes Division
시리즈-
IGBT 유형NPT
구성Half Bridge
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)600V
전류-수집기 (Ic) (최대)209A
전력-최대781W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic2.84V @ 15V, 200A
전류-수집기 차단 (최대)200µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce-
입력Standard
NTC 서미스터No
작동 온도-40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Chassis Mount
패키지 / 케이스INT-A-PAK (3 + 4)
공급자 장치 패키지INT-A-PAK

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전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

380A

전력-최대

893W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

1.3V @ 15V, 100A

전류-수집기 차단 (최대)

100µA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

-

입력

Standard

NTC 서미스터

No

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

SOT-227-4, miniBLOC

공급자 장치 패키지

SOT-227

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Vishay Semiconductor Diodes Division

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Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

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IGBT 유형

NPT

구성

Single

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

84A

전력-최대

431W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.8V @ 15V, 50A

전류-수집기 차단 (최대)

50µA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

-

입력

Standard

NTC 서미스터

No

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

SOT-227-4, miniBLOC

공급자 장치 패키지

SOT-227

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제조업체

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시리즈

-

IGBT 유형

Trench Field Stop

구성

Half Bridge

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

110A

전력-최대

385W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.25V @ 15V, 75A

전류-수집기 차단 (최대)

250µA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

4.4nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

Yes

작동 온도

-40°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

SP1

공급자 장치 패키지

SP1

BSM25GD120DN2E3224BOSA1

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제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

-

구성

Three Phase Inverter

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

35A

전력-최대

200W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

3V @ 15V, 25A

전류-수집기 차단 (최대)

800µA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

1.65nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

No

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

Module

공급자 장치 패키지

Module

APT50GT120JU2

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

IGBT 유형

Trench Field Stop

구성

Single

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

75A

전력-최대

347W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 50A

전류-수집기 차단 (최대)

5mA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

3.6nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

No

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

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