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VS-GT50TP60N

VS-GT50TP60N

참조 용

부품 번호 VS-GT50TP60N
PNEDA 부품 번호 VS-GT50TP60N
설명 IGBT 600V 85A 208W INT-A-PAK
제조업체 Vishay Semiconductor Diodes Division
단가 견적 요청
재고 있음 7,902
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 4월 12 - 4월 17 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

VS-GT50TP60N 리소스

브랜드 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호VS-GT50TP60N
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-모듈
데이터 시트
VS-GT50TP60N, VS-GT50TP60N 데이터 시트 (총 페이지: 6, 크기: 126.53 KB)
PDFVS-GT50TP60N 데이터 시트 표지
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VS-GT50TP60N 사양

제조업체Vishay Semiconductor Diodes Division
시리즈-
IGBT 유형Trench
구성Half Bridge
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)600V
전류-수집기 (Ic) (최대)85A
전력-최대208W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic2.1V @ 15V, 50A
전류-수집기 차단 (최대)1mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce3.03nF @ 30V
입력Standard
NTC 서미스터No
작동 온도175°C (TJ)
장착 유형Chassis Mount
패키지 / 케이스INT-A-PAK (3 + 4)
공급자 장치 패키지INT-A-PAK

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전류-수집기 (Ic) (최대)

160A

전력-최대

640W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.6V @ 15V, 100A

전류-수집기 차단 (최대)

6.3mA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

6.5nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

No

작동 온도

-

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

E3

공급자 장치 패키지

E3

FF450R33T3E3BPSA1

Infineon Technologies

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Infineon Technologies

시리즈

XHP™3

IGBT 유형

Trench Field Stop

구성

Half Bridge

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

3300V

전류-수집기 (Ic) (최대)

450A

전력-최대

1000000W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.75V @ 15V, 450A

전류-수집기 차단 (최대)

5mA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

-

입력

Standard

NTC 서미스터

No

작동 온도

-40°C ~ 150°C

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

Module

공급자 장치 패키지

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제조업체

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Trench Field Stop

구성

Single

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1700V

전류-수집기 (Ic) (최대)

340A

전력-최대

1250W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.4V @ 15V, 225A

전류-수집기 차단 (최대)

500µA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

20nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

No

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

SP6

공급자 장치 패키지

SP6

제조업체

IXYS

시리즈

-

IGBT 유형

NPT

구성

Single Switch

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

2500V

전류-수집기 (Ic) (최대)

1500A

전력-최대

-

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.7V @ 15V, 1500A

전류-수집기 차단 (최대)

100mA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

-

입력

Standard

NTC 서미스터

No

작동 온도

-40°C ~ 125°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

E10

공급자 장치 패키지

E10

GB35XF120K

Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

-

IGBT 유형

NPT

구성

Three Phase Inverter

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

50A

전력-최대

284W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

3V @ 15V, 50A

전류-수집기 차단 (최대)

100µA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

3.475nF @ 30V

입력

Standard

NTC 서미스터

No

작동 온도

150°C (TJ)

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