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VS-HFA08SD60SPBF

VS-HFA08SD60SPBF

참조 용

부품 번호 VS-HFA08SD60SPBF
PNEDA 부품 번호 VS-HFA08SD60SPBF
설명 DIODE GEN PURP 600V 8A DPAK
제조업체 Vishay Semiconductor Diodes Division
단가 견적 요청
재고 있음 6,192
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 12월 1 - 12월 6 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

VS-HFA08SD60SPBF 리소스

브랜드 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호VS-HFA08SD60SPBF
분류반도체다이오드 및 정류기정류기-싱글
데이터 시트
VS-HFA08SD60SPBF, VS-HFA08SD60SPBF 데이터 시트 (총 페이지: 8, 크기: 121.32 KB)
PDFVS-HFA08SD60SPBF 데이터 시트 표지
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VS-HFA08SD60SPBF 사양

제조업체Vishay Semiconductor Diodes Division
시리즈HEXFRED®
다이오드 유형Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대)600V
전류-평균 정류 (Io)8A (DC)
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If1.7V @ 8A
속도Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr)55ns
전류-역방향 누설 @ Vr5µA @ 600V
커패시턴스 @ Vr, F-
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
공급자 장치 패키지D-PAK (TO-252AA)
작동 온도-접합-55°C ~ 150°C

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SMC Diode Solutions

시리즈

-

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

200V

전류-평균 정류 (Io)

60A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.08V @ 60A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

50ns

전류-역방향 누설 @ Vr

40µA @ 200V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-2

공급자 장치 패키지

TO-247AC

작동 온도-접합

-55°C ~ 150°C

1N1205

Microsemi

제조업체

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시리즈

*

다이오드 유형

-

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

-

전류-평균 정류 (Io)

-

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

-

속도

-

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

-

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

작동 온도-접합

-

JANTXV1N5617

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

Military, MIL-PRF-19500/427

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

400V

전류-평균 정류 (Io)

1A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.6V @ 3A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

150ns

전류-역방향 누설 @ Vr

500nA @ 400V

커패시턴스 @ Vr, F

35pF @ 12V, 1MHz

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

A, Axial

공급자 장치 패키지

-

작동 온도-접합

-65°C ~ 175°C

MUR140S M4G

Taiwan Semiconductor Corporation

제조업체

Taiwan Semiconductor Corporation

시리즈

-

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

400V

전류-평균 정류 (Io)

1A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.25V @ 1A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

50ns

전류-역방향 누설 @ Vr

150µA @ 400V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

DO-214AA, SMB

공급자 장치 패키지

DO-214AA (SMB)

작동 온도-접합

-55°C ~ 175°C

CDBMH150-HF

Comchip Technology

제조업체

Comchip Technology

시리즈

-

다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

50V

전류-평균 정류 (Io)

1A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

700mV @ 1A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

200µA @ 50V

커패시턴스 @ Vr, F

120pF @ 4V, 1MHz

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SOD-123T

공급자 장치 패키지

SOD-123T

작동 온도-접합

-55°C ~ 150°C

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