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VS-MURD620CTTRHM3

VS-MURD620CTTRHM3

참조 용

부품 번호 VS-MURD620CTTRHM3
PNEDA 부품 번호 VS-MURD620CTTRHM3
설명 DIODE STANDARD 200V 3A DPAK
제조업체 Vishay Semiconductor Diodes Division
단가
1 ---------- $11.3311
100 ---------- $10.7999
250 ---------- $10.2688
500 ---------- $9.7376
750 ---------- $9.2950
1,000 ---------- $8.8524
재고 있음 1,722
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

VS-MURD620CTTRHM3 리소스

브랜드 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호VS-MURD620CTTRHM3
분류반도체다이오드 및 정류기정류기-배열
데이터 시트
VS-MURD620CTTRHM3, VS-MURD620CTTRHM3 데이터 시트 (총 페이지: 7, 크기: 117.52 KB)
PDFVS-MURD620CTHM3 데이터 시트 표지
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VS-MURD620CTTRHM3 사양

제조업체Vishay Semiconductor Diodes Division
시리즈Automotive, AEC-Q101, FRED Pt®
다이오드 구성1 Pair Common Cathode
다이오드 유형Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대)200V
전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당)3A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If1V @ 3A
속도Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr)35ns
전류-역방향 누설 @ Vr5µA @ 200V
작동 온도-접합-65°C ~ 175°C
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
공급자 장치 패키지TO-252AA

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다이오드 구성

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다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

80V

전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당)

120A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

840mV @ 120A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

1mA @ 80V

작동 온도-접합

-40°C ~ 150°C

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

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ON Semiconductor

시리즈

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다이오드 구성

1 Pair Common Cathode

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

400V

전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당)

15A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.4V @ 15A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

50ns

전류-역방향 누설 @ Vr

40µA @ 400V

작동 온도-접합

-65°C ~ 150°C

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-3P-3, SC-65-3

공급자 장치 패키지

TO-3P

MBRT40020RL

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제조업체

GeneSiC Semiconductor

시리즈

-

다이오드 구성

1 Pair Common Anode

다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

20V

전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당)

200A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

580mV @ 200A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

3mA @ 20V

작동 온도-접합

-55°C ~ 150°C

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

Three Tower

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제조업체

SMC Diode Solutions

시리즈

-

다이오드 구성

1 Pair Common Cathode

다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

80V

전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당)

-

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

750mV @ 10A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

1mA @ 80V

작동 온도-접합

-55°C ~ 150°C

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-220-3

공급자 장치 패키지

TO-220AB

MURTA40060R

GeneSiC Semiconductor

제조업체

GeneSiC Semiconductor

시리즈

-

다이오드 구성

1 Pair Common Anode

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

600V

전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당)

200A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.7V @ 200A

속도

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

25µA @ 600V

작동 온도-접합

-55°C ~ 150°C

장착 유형

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