VS-SD303C20S20C
참조 용
| 부품 번호 | VS-SD303C20S20C |
| PNEDA 부품 번호 | VS-SD303C20S20C |
| 설명 | DIODE GEN PURP 2KV 350A DO200AA |
| 제조업체 | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 3,598 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 12월 1 - 12월 6 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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VS-SD303C20S20C 리소스
| 브랜드 | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | VS-SD303C20S20C |
| 분류 | 반도체 › 다이오드 및 정류기 › 정류기-싱글 |
| 데이터 시트 |
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VS-SD303C20S20C 사양
| 제조업체 | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| 시리즈 | - |
| 다이오드 유형 | Standard |
| 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) | 2000V |
| 전류-평균 정류 (Io) | 350A |
| 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If | 2.26V @ 1100A |
| 속도 | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| 역 복구 시간 (trr) | 2µs |
| 전류-역방향 누설 @ Vr | 35mA @ 2000V |
| 커패시턴스 @ Vr, F | - |
| 장착 유형 | Clamp On |
| 패키지 / 케이스 | DO-200AA, A-PUK |
| 공급자 장치 패키지 | DO-200AA, A-PUK |
| 작동 온도-접합 | - |
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제조업체 Microsemi Corporation 시리즈 * 다이오드 유형 - 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) - 전류-평균 정류 (Io) - 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If - 속도 - 역 복구 시간 (trr) - 전류-역방향 누설 @ Vr - 커패시턴스 @ Vr, F - 장착 유형 - 패키지 / 케이스 - 공급자 장치 패키지 - 작동 온도-접합 - |
제조업체 Vishay Semiconductor Diodes Division 시리즈 TMBS® 다이오드 유형 Schottky 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) 45V 전류-평균 정류 (Io) 6.5A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 580mV @ 20A 속도 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr) - 전류-역방향 누설 @ Vr 1.2mA @ 45V 커패시턴스 @ Vr, F 2050pF @ 4V, 1MHz 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 P600, Axial 공급자 장치 패키지 P600 작동 온도-접합 -40°C ~ 150°C |
