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W25P80VSSIG

W25P80VSSIG

참조 용

부품 번호 W25P80VSSIG
PNEDA 부품 번호 W25P80VSSIG
설명 IC FLASH 8M SPI 50MHZ 8SOIC
제조업체 Winbond Electronics
단가 견적 요청
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W25P80VSSIG 리소스

브랜드 Winbond Electronics
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호W25P80VSSIG
분류반도체메모리 IC기억
데이터 시트
W25P80VSSIG, W25P80VSSIG 데이터 시트 (총 페이지: 43, 크기: 918.55 KB)
PDFW25P80VSSIG T&R 데이터 시트 표지
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W25P80VSSIG 사양

제조업체Winbond Electronics
시리즈SpiFlash®
메모리 유형Non-Volatile
메모리 포맷FLASH
기술FLASH
메모리 크기8Mb (1M x 8)
메모리 인터페이스SPI
시계 주파수50MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지7ms
접근 시간-
전압-공급2.7V ~ 3.6V
작동 온도-40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스8-SOIC (0.209", 5.30mm Width)
공급자 장치 패키지8-SOIC

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메모리 크기

-

메모리 인터페이스

-

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

-

전압-공급

-

작동 온도

-

장착 유형

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

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Cypress Semiconductor

제조업체

Cypress Semiconductor Corp

시리즈

FL-S

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH - NOR

메모리 크기

512Mb (64M x 8)

메모리 인터페이스

SPI - Quad I/O

시계 주파수

133MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

-

전압-공급

2.7V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

24-TBGA

공급자 장치 패키지

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IS61DDB22M18C-250M3

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메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Synchronous, DDR II

메모리 크기

36Mb (2M x 18)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

250MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

8.4ns

전압-공급

1.71V ~ 1.89V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

DRAM

기술

SDRAM - Mobile LPDDR4

메모리 크기

32Gb (1G x 32)

메모리 인터페이스

-

시계 주파수

1866MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

-

전압-공급

1.1V

작동 온도

-40°C ~ 95°C (TC)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

200-VFBGA

공급자 장치 패키지

200-VFBGA (10x14.5)

MT49H8M36BM-33:B TR

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제조업체

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시리즈

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메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

DRAM

기술

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메모리 크기

288Mb (8M x 36)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

300MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

20ns

전압-공급

1.7V ~ 1.9V

작동 온도

0°C ~ 95°C (TC)

장착 유형

Surface Mount

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