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W25Q128JVCIM

W25Q128JVCIM

참조 용

부품 번호 W25Q128JVCIM
PNEDA 부품 번호 W25Q128JVCIM
설명 IC FLASH 128M SPI 24TFBGA
제조업체 Winbond Electronics
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W25Q128JVCIM 리소스

브랜드 Winbond Electronics
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호W25Q128JVCIM
분류반도체메모리 IC기억
데이터 시트
W25Q128JVCIM, W25Q128JVCIM 데이터 시트 (총 페이지: 101, 크기: 2,383.6 KB)
PDFW25Q128JVEIM 데이터 시트 표지
W25Q128JVEIM 데이터 시트 페이지 2 W25Q128JVEIM 데이터 시트 페이지 3 W25Q128JVEIM 데이터 시트 페이지 4 W25Q128JVEIM 데이터 시트 페이지 5 W25Q128JVEIM 데이터 시트 페이지 6 W25Q128JVEIM 데이터 시트 페이지 7 W25Q128JVEIM 데이터 시트 페이지 8 W25Q128JVEIM 데이터 시트 페이지 9 W25Q128JVEIM 데이터 시트 페이지 10 W25Q128JVEIM 데이터 시트 페이지 11

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W25Q128JVCIM 사양

제조업체Winbond Electronics
시리즈SpiFlash®
메모리 유형Non-Volatile
메모리 포맷FLASH
기술FLASH - NOR
메모리 크기128Mb (16M x 8)
메모리 인터페이스SPI - Quad I/O, QPI, DTR
시계 주파수133MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지3ms
접근 시간-
전압-공급2.7V ~ 3.6V
작동 온도-40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스24-TBGA
공급자 장치 패키지24-TFBGA (6x8)

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메모리 포맷

DRAM

기술

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메모리 크기

256Mb (16M x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

166MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

12ns

접근 시간

5ns

전압-공급

3V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 105°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

54-TFBGA

공급자 장치 패키지

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제조업체

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시리즈

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메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH

메모리 크기

16Mb (528 Bytes x 4096 pages)

메모리 인터페이스

SPI

시계 주파수

50MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

6ms

접근 시간

-

전압-공급

2.5V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TC)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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CY7C1051H30-10BV1XE

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제조업체

Cypress Semiconductor Corp

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Asynchronous

메모리 크기

8Mb (512K x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

10ns

접근 시간

10ns

전압-공급

2.2V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 125°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

48-VFBGA

공급자 장치 패키지

48-VFBGA (6x8)

MT46V16M16P-5B IT:M TR

Micron Technology Inc.

제조업체

Micron Technology Inc.

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

DRAM

기술

SDRAM - DDR

메모리 크기

256Mb (16M x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

200MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

15ns

접근 시간

700ps

전압-공급

2.5V ~ 2.7V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)

공급자 장치 패키지

66-TSOP

MT48LC8M32LFF5-10 TR

Micron Technology Inc.

제조업체

Micron Technology Inc.

시리즈

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메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

DRAM

기술

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메모리 크기

256Mb (8M x 32)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

100MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

15ns

접근 시간

7ns

전압-공급

3V ~ 3.6V

작동 온도

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장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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