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W25Q16CVSNJG TR

W25Q16CVSNJG TR

참조 용

부품 번호 W25Q16CVSNJG TR
PNEDA 부품 번호 W25Q16CVSNJG-TR
설명 IC FLASH MEMORY 16MB
제조업체 Winbond Electronics
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창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 11월 30 - 12월 5 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

W25Q16CVSNJG TR 리소스

브랜드 Winbond Electronics
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호W25Q16CVSNJG TR
분류반도체메모리 IC기억
데이터 시트
W25Q16CVSNJG TR, W25Q16CVSNJG TR 데이터 시트 (총 페이지: 80, 크기: 1,072.35 KB)
PDFW25Q16CVZPJP 데이터 시트 표지
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W25Q16CVSNJG TR 사양

제조업체Winbond Electronics
시리즈SpiFlash®
메모리 유형Non-Volatile
메모리 포맷FLASH
기술FLASH - NOR
메모리 크기16Mb (2M x 8)
메모리 인터페이스SPI - Quad I/O
시계 주파수104MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지50µs, 3ms
접근 시간-
전압-공급2.7V ~ 3.6V
작동 온도-40°C ~ 105°C (TA)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지8-SOIC

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메모리 인터페이스

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시계 주파수

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쓰기주기 시간-단어, 페이지

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접근 시간

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전압-공급

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장착 유형

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메모리 크기

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메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

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쓰기주기 시간-단어, 페이지

60ns

접근 시간

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전압-공급

2.7V ~ 3.6V

작동 온도

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장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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Micron Technology Inc.

제조업체

Micron Technology Inc.

시리즈

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메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH - NOR

메모리 크기

256Mb (32M x 8)

메모리 인터페이스

Xccela Bus

시계 주파수

133MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

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전압-공급

2.7V ~ 3.6V

작동 온도

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장착 유형

Surface Mount

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공급자 장치 패키지

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NM93CS06N

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

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메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

EEPROM

기술

EEPROM

메모리 크기

256b (16 x 16)

메모리 인터페이스

SPI

시계 주파수

1MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

10ms

접근 시간

-

전압-공급

4.5V ~ 5.5V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

8-DIP (0.300", 7.62mm)

공급자 장치 패키지

8-DIP

AS4C256M16D3B-12BINTR

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제조업체

Alliance Memory, Inc.

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메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

DRAM

기술

SDRAM - DDR3

메모리 크기

4Gb (256M x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

800MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

15ns

접근 시간

20ns

전압-공급

1.425V ~ 1.575V

작동 온도

-40°C ~ 95°C (TC)

장착 유형

Surface Mount

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