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W25Q16DVUUJP TR

W25Q16DVUUJP TR

참조 용

부품 번호 W25Q16DVUUJP TR
PNEDA 부품 번호 W25Q16DVUUJP-TR
설명 IC FLASH MEMORY 16MB
제조업체 Winbond Electronics
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W25Q16DVUUJP TR 리소스

브랜드 Winbond Electronics
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호W25Q16DVUUJP TR
분류반도체메모리 IC기억
데이터 시트
W25Q16DVUUJP TR, W25Q16DVUUJP TR 데이터 시트 (총 페이지: 83, 크기: 2,043.32 KB)
PDFW25Q16DVZPJP 데이터 시트 표지
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W25Q16DVUUJP TR 사양

제조업체Winbond Electronics
시리즈SpiFlash®
메모리 유형Non-Volatile
메모리 포맷FLASH
기술FLASH - NOR
메모리 크기16Mb (2M x 8)
메모리 인터페이스SPI - Quad I/O
시계 주파수104MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지50µs, 3ms
접근 시간-
전압-공급2.7V ~ 3.6V
작동 온도-40°C ~ 105°C (TA)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스8-UDFN Exposed Pad
공급자 장치 패키지8-USON (4x3)

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메모리 포맷

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기술

SDRAM - Mobile LPDDR2

메모리 크기

16Gb (256M x 64)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

400MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

-

전압-공급

1.14V ~ 1.3V

작동 온도

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장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

220-VFBGA

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IDT71V3577YS85PF8

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시리즈

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메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

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SRAM - Synchronous, SDR

메모리 크기

4.5Mb (128K x 36)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

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쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

8.5ns

전압-공급

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Surface Mount

패키지 / 케이스

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S29GL064N90FAI030

Cypress Semiconductor

제조업체

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시리즈

GL-N

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH - NOR

메모리 크기

64Mb (8M x 8, 4M x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

90ns

접근 시간

90ns

전압-공급

2.7V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

64-LBGA

공급자 장치 패키지

64-FBGA (13x11)

S34MS02G200TFV003

Cypress Semiconductor

제조업체

Cypress Semiconductor Corp

시리즈

MS-2

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH - NAND

메모리 크기

2Gb (256M x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

45ns

접근 시간

45ns

전압-공급

1.7V ~ 1.95V

작동 온도

-40°C ~ 105°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)

공급자 장치 패키지

48-TSOP I

S25FL129P0XNFV013

Cypress Semiconductor

제조업체

Cypress Semiconductor Corp

시리즈

FL-P

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH - NOR

메모리 크기

128Mb (16M x 8)

메모리 인터페이스

SPI - Quad I/O

시계 주파수

104MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

5µs, 3ms

접근 시간

-

전압-공급

2.7V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 105°C (TA)

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