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W25Q256FVCJQ TR

W25Q256FVCJQ TR

참조 용

부품 번호 W25Q256FVCJQ TR
PNEDA 부품 번호 W25Q256FVCJQ-TR
설명 IC FLASH MEMORY 256MB
제조업체 Winbond Electronics
단가 견적 요청
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창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 11월 24 - 11월 29 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

W25Q256FVCJQ TR 리소스

브랜드 Winbond Electronics
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호W25Q256FVCJQ TR
분류반도체메모리 IC기억
데이터 시트
W25Q256FVCJQ TR, W25Q256FVCJQ TR 데이터 시트 (총 페이지: 109, 크기: 2,797.65 KB)
PDFW25Q256FVFJQ 데이터 시트 표지
W25Q256FVFJQ 데이터 시트 페이지 2 W25Q256FVFJQ 데이터 시트 페이지 3 W25Q256FVFJQ 데이터 시트 페이지 4 W25Q256FVFJQ 데이터 시트 페이지 5 W25Q256FVFJQ 데이터 시트 페이지 6 W25Q256FVFJQ 데이터 시트 페이지 7 W25Q256FVFJQ 데이터 시트 페이지 8 W25Q256FVFJQ 데이터 시트 페이지 9 W25Q256FVFJQ 데이터 시트 페이지 10 W25Q256FVFJQ 데이터 시트 페이지 11

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  • Winbond Electronics Distributor
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W25Q256FVCJQ TR 사양

제조업체Winbond Electronics
시리즈SpiFlash®
메모리 유형Non-Volatile
메모리 포맷FLASH
기술FLASH - NOR
메모리 크기256Mb (32M x 8)
메모리 인터페이스SPI - Quad I/O, QPI
시계 주파수104MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지50µs, 3ms
접근 시간-
전압-공급2.7V ~ 3.6V
작동 온도-40°C ~ 105°C (TA)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스24-TBGA
공급자 장치 패키지24-TFBGA (6x8)

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제조업체

Micron Technology Inc.

시리즈

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메모리 유형

-

메모리 포맷

-

기술

-

메모리 크기

-

메모리 인터페이스

-

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

-

전압-공급

-

작동 온도

-

장착 유형

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

CY7C1314CV18-250BZC

Cypress Semiconductor

제조업체

Cypress Semiconductor Corp

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Synchronous, QDR II

메모리 크기

18Mb (512K x 36)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

250MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

-

전압-공급

1.7V ~ 1.9V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

165-LBGA

공급자 장치 패키지

165-FBGA (13x15)

S25FL164K0XMFIQ10

Cypress Semiconductor

제조업체

Cypress Semiconductor Corp

시리즈

FL1-K

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH - NOR

메모리 크기

64Mb (8M x 8)

메모리 인터페이스

SPI - Quad I/O

시계 주파수

108MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

3ms

접근 시간

-

전압-공급

2.7V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.209", 5.30mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOIC

71V25761S200PFGI8

IDT, Integrated Device Technology

제조업체

IDT, Integrated Device Technology Inc

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Synchronous, SDR

메모리 크기

4.5Mb (128K x 36)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

200MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

3.1ns

전압-공급

3.135V ~ 3.465V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

100-LQFP

공급자 장치 패키지

100-TQFP (14x14)

STK11C68-C45

Cypress Semiconductor

제조업체

Cypress Semiconductor Corp

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

NVSRAM

기술

NVSRAM (Non-Volatile SRAM)

메모리 크기

64Kb (8K x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

45ns

접근 시간

45ns

전압-공급

4.5V ~ 5.5V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

28-CDIP

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