W25Q256JVBIQ
참조 용
| 부품 번호 | W25Q256JVBIQ |
| PNEDA 부품 번호 | W25Q256JVBIQ |
| 설명 | IC FLASH 256M SPI 24TFBGA |
| 제조업체 | Winbond Electronics |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 4,770 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 11월 27 - 12월 2 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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W25Q256JVBIQ 리소스
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W25Q256JVBIQ 사양
| 제조업체 | Winbond Electronics |
| 시리즈 | SpiFlash® |
| 메모리 유형 | Non-Volatile |
| 메모리 포맷 | FLASH |
| 기술 | FLASH - NOR |
| 메모리 크기 | 256Mb (32M x 8) |
| 메모리 인터페이스 | SPI - Quad I/O |
| 시계 주파수 | 133MHz |
| 쓰기주기 시간-단어, 페이지 | 3ms |
| 접근 시간 | - |
| 전압-공급 | 2.7V ~ 3.6V |
| 작동 온도 | -40°C ~ 85°C (TA) |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 패키지 / 케이스 | 24-TBGA |
| 공급자 장치 패키지 | 24-TFBGA (6x8) |
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제조업체 ON Semiconductor 시리즈 - 메모리 유형 Non-Volatile 메모리 포맷 EEPROM 기술 EEPROM 메모리 크기 16Kb (2K x 8) 메모리 인터페이스 I²C 시계 주파수 400kHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지 5ms 접근 시간 900ns 전압-공급 1.8V ~ 5.5V 작동 온도 -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지 8-SOIC |
제조업체 GigaDevice Semiconductor (HK) Limited 시리즈 - 메모리 유형 Non-Volatile 메모리 포맷 FLASH 기술 FLASH - NOR 메모리 크기 16Mb (2M x 8) 메모리 인터페이스 SPI - Quad I/O 시계 주파수 120MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지 50µs, 2.4ms 접근 시간 - 전압-공급 2.7V ~ 3.6V 작동 온도 -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지 8-SOP |
제조업체 IDT, Integrated Device Technology Inc 시리즈 - 메모리 유형 Volatile 메모리 포맷 SRAM 기술 SRAM - Synchronous, SDR (ZBT) 메모리 크기 9Mb (512K x 18) 메모리 인터페이스 Parallel 시계 주파수 - 쓰기주기 시간-단어, 페이지 - 접근 시간 8.5ns 전압-공급 3.135V ~ 3.465V 작동 온도 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 100-LQFP 공급자 장치 패키지 100-TQFP (14x14) |
제조업체 Adesto Technologies 시리즈 - 메모리 유형 Non-Volatile 메모리 포맷 FLASH 기술 FLASH 메모리 크기 4Mb (512K x 8) 메모리 인터페이스 SPI 시계 주파수 104MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지 8µs, 2.5ms 접근 시간 - 전압-공급 1.65V ~ 3.6V 작동 온도 -40°C ~ 85°C (TC) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-UDFN Exposed Pad 공급자 장치 패키지 8-UDFN (5x6) |
