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W25Q512JVBIQ

W25Q512JVBIQ

참조 용

부품 번호 W25Q512JVBIQ
PNEDA 부품 번호 W25Q512JVBIQ
설명 SPIFLASH 512M-BIT 4KB UNIFORM
제조업체 Winbond Electronics
단가 견적 요청
재고 있음 4,356
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 11월 24 - 11월 29 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

W25Q512JVBIQ 리소스

브랜드 Winbond Electronics
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호W25Q512JVBIQ
분류반도체메모리 IC기억
데이터 시트
W25Q512JVBIQ, W25Q512JVBIQ 데이터 시트 (총 페이지: 92, 크기: 1,765.1 KB)
PDFW25Q512JVBIM TR 데이터 시트 표지
W25Q512JVBIM TR 데이터 시트 페이지 2 W25Q512JVBIM TR 데이터 시트 페이지 3 W25Q512JVBIM TR 데이터 시트 페이지 4 W25Q512JVBIM TR 데이터 시트 페이지 5 W25Q512JVBIM TR 데이터 시트 페이지 6 W25Q512JVBIM TR 데이터 시트 페이지 7 W25Q512JVBIM TR 데이터 시트 페이지 8 W25Q512JVBIM TR 데이터 시트 페이지 9 W25Q512JVBIM TR 데이터 시트 페이지 10 W25Q512JVBIM TR 데이터 시트 페이지 11

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  • W25Q512JVBIQ Distributor

W25Q512JVBIQ 사양

제조업체Winbond Electronics
시리즈SpiFlash®
메모리 유형Non-Volatile
메모리 포맷FLASH
기술FLASH - NOR
메모리 크기512Mb (64M x 8)
메모리 인터페이스SPI - Quad I/O
시계 주파수133MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지-
접근 시간-
전압-공급2.7V ~ 3.6V
작동 온도-40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스24-TBGA
공급자 장치 패키지24-TFBGA (6x8)

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Micron Technology Inc.

제조업체

Micron Technology Inc.

시리즈

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메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH - NOR

메모리 크기

512Mb (64M x 8)

메모리 인터페이스

SPI

시계 주파수

133MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

8ms, 2.8ms

접근 시간

-

전압-공급

1.7V ~ 2V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)

공급자 장치 패키지

16-SO

MT29TZZZAD8DKKBT-107 W.9F8 TR

Micron Technology Inc.

제조업체

Micron Technology Inc.

시리즈

*

메모리 유형

-

메모리 포맷

-

기술

-

메모리 크기

-

메모리 인터페이스

-

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

-

전압-공급

-

작동 온도

-

장착 유형

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

70V25L45J

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제조업체

IDT, Integrated Device Technology Inc

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Dual Port, Asynchronous

메모리 크기

128Kb (8K x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

45ns

접근 시간

45ns

전압-공급

3V ~ 3.6V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

84-LCC (J-Lead)

공급자 장치 패키지

84-PLCC (29.21x29.21)

CY7C1320SV18-250BZC

Cypress Semiconductor

제조업체

Cypress Semiconductor Corp

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Synchronous, DDR II

메모리 크기

18Mb (512K x 36)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

250MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

-

전압-공급

1.7V ~ 1.9V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

165-LBGA

공급자 장치 패키지

165-FBGA (13x15)

EDFP164A3PD-MD-F-D

Micron Technology Inc.

제조업체

Micron Technology Inc.

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

DRAM

기술

SDRAM - Mobile LPDDR3

메모리 크기

24Gb (384M x 64)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

1067MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

-

전압-공급

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작동 온도

-30°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

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공급자 장치 패키지

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