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W25Q80EWSSIG

W25Q80EWSSIG

참조 용

부품 번호 W25Q80EWSSIG
PNEDA 부품 번호 W25Q80EWSSIG
설명 IC FLASH 8M SPI 104MHZ 8SOIC
제조업체 Winbond Electronics
단가 견적 요청
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창고 Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

W25Q80EWSSIG 리소스

브랜드 Winbond Electronics
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호W25Q80EWSSIG
분류반도체메모리 IC기억
데이터 시트
W25Q80EWSSIG, W25Q80EWSSIG 데이터 시트 (총 페이지: 80, 크기: 1,639.57 KB)
PDFW25Q80EWUXIE TR 데이터 시트 표지
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W25Q80EWSSIG 사양

제조업체Winbond Electronics
시리즈SpiFlash®
메모리 유형Non-Volatile
메모리 포맷FLASH
기술FLASH - NOR
메모리 크기8Mb (1M x 8)
메모리 인터페이스SPI
시계 주파수104MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지3ms
접근 시간-
전압-공급1.65V ~ 1.95V
작동 온도-40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스8-SOIC (0.209", 5.30mm Width)
공급자 장치 패키지8-SOIC

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Micron Technology Inc.

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메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH - NAND

메모리 크기

32Gb (4G x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

-

전압-공급

2.7V ~ 3.6V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)

공급자 장치 패키지

48-TSOP I

CY7C1061G30-10ZXET

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제조업체

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시리즈

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메모리 유형

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메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Asynchronous

메모리 크기

16Mb (1M x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

10ns

접근 시간

10ns

전압-공급

2.2V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)

공급자 장치 패키지

48-TSOP I

AT21CS11-MSH10-T

Microchip Technology

제조업체

Microchip Technology

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

EEPROM

기술

EEPROM

메모리 크기

1Kb (128 x 8)

메모리 인터페이스

I²C, Single Wire

시계 주파수

125kHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

5ms

접근 시간

-

전압-공급

2.7V ~ 4.5V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TC)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

2-SMD, No Lead

공급자 장치 패키지

2-XSFN (5x3.5)

DS1230AB-200

Maxim Integrated

제조업체

Maxim Integrated

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

NVSRAM

기술

NVSRAM (Non-Volatile SRAM)

메모리 크기

256Kb (32K x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

200ns

접근 시간

200ns

전압-공급

4.75V ~ 5.25V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

28-DIP Module (0.600", 15.24mm)

공급자 장치 패키지

28-EDIP

AT25160-10PC

Microchip Technology

제조업체

Microchip Technology

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

EEPROM

기술

EEPROM

메모리 크기

16Kb (2K x 8)

메모리 인터페이스

SPI

시계 주파수

3MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

5ms

접근 시간

-

전압-공급

4.5V ~ 5.5V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

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