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W631GG6MB11I

W631GG6MB11I

참조 용

부품 번호 W631GG6MB11I
PNEDA 부품 번호 W631GG6MB11I
설명 IC SDRAM 1GBIT 933MHZ 96WBGA
제조업체 Winbond Electronics
단가 견적 요청
재고 있음 5,076
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 3월 30 - 4월 4 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

W631GG6MB11I 리소스

브랜드 Winbond Electronics
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호W631GG6MB11I
분류반도체메모리 IC기억
데이터 시트
W631GG6MB11I, W631GG6MB11I 데이터 시트 (총 페이지: 160, 크기: 5,986.5 KB)
PDFW631GG6MB15J 데이터 시트 표지
W631GG6MB15J 데이터 시트 페이지 2 W631GG6MB15J 데이터 시트 페이지 3 W631GG6MB15J 데이터 시트 페이지 4 W631GG6MB15J 데이터 시트 페이지 5 W631GG6MB15J 데이터 시트 페이지 6 W631GG6MB15J 데이터 시트 페이지 7 W631GG6MB15J 데이터 시트 페이지 8 W631GG6MB15J 데이터 시트 페이지 9 W631GG6MB15J 데이터 시트 페이지 10 W631GG6MB15J 데이터 시트 페이지 11

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  • W631GG6MB11I Distributor

W631GG6MB11I 사양

제조업체Winbond Electronics
시리즈-
메모리 유형Volatile
메모리 포맷DRAM
기술SDRAM - DDR3
메모리 크기1Gb (64M x 16)
메모리 인터페이스Parallel
시계 주파수933MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지-
접근 시간20ns
전압-공급1.425V ~ 1.575V
작동 온도-40°C ~ 95°C (TC)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스96-VFBGA
공급자 장치 패키지96-VFBGA (7.5x13)

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메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

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기술

EEPROM

메모리 크기

128Kb (16K x 8)

메모리 인터페이스

SPI

시계 주파수

20MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

5ms

접근 시간

-

전압-공급

1.8V ~ 5.5V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.209", 5.30mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOIC

MT45W2MW16PGA-70 IT

Micron Technology Inc.

제조업체

Micron Technology Inc.

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

PSRAM

기술

PSRAM (Pseudo SRAM)

메모리 크기

32Mb (2M x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

70ns

접근 시간

70ns

전압-공급

1.7V ~ 1.95V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TC)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

48-VFBGA

공급자 장치 패키지

48-VFBGA (6x8)

CY62256NLL-70SNXC

Cypress Semiconductor

제조업체

Cypress Semiconductor Corp

시리즈

MoBL®

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Asynchronous

메모리 크기

256Kb (32K x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

70ns

접근 시간

70ns

전압-공급

4.5V ~ 5.5V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

28-SOIC (0.295", 7.50mm Width)

공급자 장치 패키지

28-SOIC

IS34MW02G084-TLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

제조업체

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH - NAND (SLC)

메모리 크기

2Gb (256M x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

45ns

접근 시간

45ns

전압-공급

1.7V ~ 1.95V

작동 온도

-40°C ~ 85°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)

공급자 장치 패키지

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Cypress Semiconductor

제조업체

Cypress Semiconductor Corp

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

NVSRAM

기술

NVSRAM (Non-Volatile SRAM)

메모리 크기

512Kb (64K x 8)

메모리 인터페이스

SPI

시계 주파수

40MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

-

전압-공급

2.7V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)

공급자 장치 패키지

16-SOIC

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