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W631GU8MB15I

W631GU8MB15I

참조 용

부품 번호 W631GU8MB15I
PNEDA 부품 번호 W631GU8MB15I
설명 IC SDRAM 1GBIT 667MHZ 78BGA
제조업체 Winbond Electronics
단가 견적 요청
재고 있음 2,376
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 2월 19 - 2월 24 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

W631GU8MB15I 리소스

브랜드 Winbond Electronics
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호W631GU8MB15I
분류반도체메모리 IC기억
데이터 시트
W631GU8MB15I, W631GU8MB15I 데이터 시트 (총 페이지: 161, 크기: 5,888.32 KB)
PDFW631GU8MB15I 데이터 시트 표지
W631GU8MB15I 데이터 시트 페이지 2 W631GU8MB15I 데이터 시트 페이지 3 W631GU8MB15I 데이터 시트 페이지 4 W631GU8MB15I 데이터 시트 페이지 5 W631GU8MB15I 데이터 시트 페이지 6 W631GU8MB15I 데이터 시트 페이지 7 W631GU8MB15I 데이터 시트 페이지 8 W631GU8MB15I 데이터 시트 페이지 9 W631GU8MB15I 데이터 시트 페이지 10 W631GU8MB15I 데이터 시트 페이지 11

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  • W631GU8MB15I Distributor

W631GU8MB15I 사양

제조업체Winbond Electronics
시리즈-
메모리 유형Volatile
메모리 포맷DRAM
기술SDRAM - DDR3L
메모리 크기1Gb (128M x 8)
메모리 인터페이스Parallel
시계 주파수667MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지-
접근 시간20ns
전압-공급1.283V ~ 1.45V
작동 온도-40°C ~ 95°C (TC)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스78-VFBGA
공급자 장치 패키지78-VFBGA (10.5x8)

관심을 가질만한 제품

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제조업체

Cypress Semiconductor Corp

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Synchronous, SDR

메모리 크기

4Mb (128K x 32)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

100MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

5.5ns

전압-공급

3.15V ~ 3.6V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

100-LQFP

공급자 장치 패키지

100-TQFP (14x20)

AT28C010-12TC

Microchip Technology

제조업체

Microchip Technology

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

EEPROM

기술

EEPROM

메모리 크기

1Mb (128K x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

10ms

접근 시간

120ns

전압-공급

4.5V ~ 5.5V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TC)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

32-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)

공급자 장치 패키지

32-TSOP

AT27C256R-70RC

Microchip Technology

제조업체

Microchip Technology

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

EPROM

기술

EPROM - OTP

메모리 크기

256Kb (32K x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

70ns

전압-공급

4.5V ~ 5.5V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TC)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

28-SOIC (0.342", 8.69mm Width)

공급자 장치 패키지

28-SOIC

CY7C14201KV18-250BZC

Cypress Semiconductor

제조업체

Cypress Semiconductor Corp

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Synchronous, DDR II

메모리 크기

36Mb (1M x 36)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

250MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

-

전압-공급

1.7V ~ 1.9V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

165-LBGA

공급자 장치 패키지

165-FBGA (13x15)

AT28HC256-70JC

Microchip Technology

제조업체

Microchip Technology

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

EEPROM

기술

EEPROM

메모리 크기

256Kb (32K x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

10ms

접근 시간

70ns

전압-공급

4.5V ~ 5.5V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TC)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

32-LCC (J-Lead)

공급자 장치 패키지

32-PLCC (13.97x11.43)

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