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W632GG6KB-11

W632GG6KB-11

참조 용

부품 번호 W632GG6KB-11
PNEDA 부품 번호 W632GG6KB-11
설명 IC DRAM 2G PARALLEL 96WBGA
제조업체 Winbond Electronics
단가 견적 요청
재고 있음 4,590
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 12월 29 - 1월 3 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

W632GG6KB-11 리소스

브랜드 Winbond Electronics
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호W632GG6KB-11
분류반도체메모리 IC기억
데이터 시트
W632GG6KB-11, W632GG6KB-11 데이터 시트 (총 페이지: 159, 크기: 5,812.62 KB)
PDFW632GG6KB-18 데이터 시트 표지
W632GG6KB-18 데이터 시트 페이지 2 W632GG6KB-18 데이터 시트 페이지 3 W632GG6KB-18 데이터 시트 페이지 4 W632GG6KB-18 데이터 시트 페이지 5 W632GG6KB-18 데이터 시트 페이지 6 W632GG6KB-18 데이터 시트 페이지 7 W632GG6KB-18 데이터 시트 페이지 8 W632GG6KB-18 데이터 시트 페이지 9 W632GG6KB-18 데이터 시트 페이지 10 W632GG6KB-18 데이터 시트 페이지 11

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  • W632GG6KB-11 Distributor

W632GG6KB-11 사양

제조업체Winbond Electronics
시리즈-
메모리 유형Volatile
메모리 포맷DRAM
기술SDRAM - DDR3
메모리 크기2Gb (128M x 16)
메모리 인터페이스Parallel
시계 주파수933MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지-
접근 시간20ns
전압-공급1.425V ~ 1.575V
작동 온도0°C ~ 95°C (TC)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스96-TFBGA
공급자 장치 패키지96-WBGA (9x13)

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Microchip Technology

제조업체

Microchip Technology

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

EEPROM

기술

EEPROM

메모리 크기

512Kb (64K x 8)

메모리 인터페이스

I²C

시계 주파수

400kHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

5ms

접근 시간

900ns

전압-공급

1.7V ~ 5.5V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-VDFN Exposed Pad

공급자 장치 패키지

8-DFN-S (6x5)

SST39LF040-45-4C-NHE

Microchip Technology

제조업체

Microchip Technology

시리즈

SST39 MPF™

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH

메모리 크기

4Mb (512K x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

20µs

접근 시간

45ns

전압-공급

3V ~ 3.6V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

32-LCC (J-Lead)

공급자 장치 패키지

32-PLCC (11.43x13.97)

70V3589S166DRG8

IDT, Integrated Device Technology

제조업체

IDT, Integrated Device Technology Inc

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Dual Port, Synchronous

메모리 크기

2Mb (64K x 36)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

166MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

3.6ns

전압-공급

3.15V ~ 3.45V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

208-BFQFP

공급자 장치 패키지

208-PQFP (28x28)

IS42S16400J-7B2LI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

제조업체

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

DRAM

기술

SDRAM

메모리 크기

64Mb (4M x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

143MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

5.4ns

전압-공급

3V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

60-TFBGA

공급자 장치 패키지

60-TFBGA (6.4x10.1)

AT25DF041A-MHF-Y

Adesto Technologies

제조업체

Adesto Technologies

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH

메모리 크기

4Mb (512K x 8)

메모리 인터페이스

SPI

시계 주파수

50MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

7µs, 5ms

접근 시간

-

전압-공급

2.3V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TC)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-UDFN Exposed Pad

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8-UDFN (5x6)

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