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W632GG6MB-12 TR

W632GG6MB-12 TR

참조 용

부품 번호 W632GG6MB-12 TR
PNEDA 부품 번호 W632GG6MB-12-TR
설명 IC DRAM 2G PARALLEL 800MHZ
제조업체 Winbond Electronics
단가 견적 요청
재고 있음 3,942
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W632GG6MB-12 TR 리소스

브랜드 Winbond Electronics
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호W632GG6MB-12 TR
분류반도체메모리 IC기억
데이터 시트
W632GG6MB-12 TR, W632GG6MB-12 TR 데이터 시트 (총 페이지: 160, 크기: 5,282.74 KB)
PDFW632GG6MB15J 데이터 시트 표지
W632GG6MB15J 데이터 시트 페이지 2 W632GG6MB15J 데이터 시트 페이지 3 W632GG6MB15J 데이터 시트 페이지 4 W632GG6MB15J 데이터 시트 페이지 5 W632GG6MB15J 데이터 시트 페이지 6 W632GG6MB15J 데이터 시트 페이지 7 W632GG6MB15J 데이터 시트 페이지 8 W632GG6MB15J 데이터 시트 페이지 9 W632GG6MB15J 데이터 시트 페이지 10 W632GG6MB15J 데이터 시트 페이지 11

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W632GG6MB-12 TR 사양

제조업체Winbond Electronics
시리즈-
메모리 유형Volatile
메모리 포맷DRAM
기술SDRAM - DDR3
메모리 크기2Gb (128M x 16)
메모리 인터페이스Parallel
시계 주파수800MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지-
접근 시간20ns
전압-공급1.425V ~ 1.575V
작동 온도0°C ~ 95°C (TC)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스96-VFBGA
공급자 장치 패키지96-VFBGA (7.5x13)

관심을 가질만한 제품

CY7C1526KV18-300BZXC

Cypress Semiconductor

제조업체

Cypress Semiconductor Corp

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Synchronous, QDR II

메모리 크기

72Mb (8M x 9)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

300MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

-

전압-공급

1.7V ~ 1.9V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

165-LBGA

공급자 장치 패키지

165-FBGA (13x15)

SST25VF040B-50-4C-S2AF

Microchip Technology

제조업체

Microchip Technology

시리즈

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메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH

메모리 크기

4Mb (512K x 8)

메모리 인터페이스

SPI

시계 주파수

50MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

10µs

접근 시간

-

전압-공급

2.7V ~ 3.6V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.209", 5.30mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOIC

AT25DF021A-XMHN-B

Adesto Technologies

제조업체

Adesto Technologies

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH

메모리 크기

2Mb (256K x 8)

메모리 인터페이스

SPI

시계 주파수

104MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

8µs, 2.5ms

접근 시간

-

전압-공급

1.65V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TC)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)

공급자 장치 패키지

8-TSSOP

70V3579S5DR

IDT, Integrated Device Technology

제조업체

IDT, Integrated Device Technology Inc

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Dual Port, Synchronous

메모리 크기

1.125Mb (32K x 36)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

5ns

전압-공급

3.15V ~ 3.45V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

208-BFQFP

공급자 장치 패키지

208-PQFP (28x28)

ECF840AAACN-C1-Y3

Micron Technology Inc.

제조업체

Micron Technology Inc.

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

DRAM

기술

SDRAM - Mobile LPDDR3

메모리 크기

8Gb (512M x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

-

전압-공급

1.14V ~ 1.95V

작동 온도

-

장착 유형

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

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