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W632GG6NB11I

W632GG6NB11I

참조 용

부품 번호 W632GG6NB11I
PNEDA 부품 번호 W632GG6NB11I
설명 IC SDRAM 2G DDR3 96VFBGA
제조업체 Winbond Electronics
단가 견적 요청
재고 있음 2,934
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 11월 28 - 12월 3 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

W632GG6NB11I 리소스

브랜드 Winbond Electronics
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호W632GG6NB11I
분류반도체메모리 IC기억
데이터 시트
W632GG6NB11I, W632GG6NB11I 데이터 시트 (총 페이지: 161, 크기: 3,935.31 KB)
PDFW632GG6NB15J 데이터 시트 표지
W632GG6NB15J 데이터 시트 페이지 2 W632GG6NB15J 데이터 시트 페이지 3 W632GG6NB15J 데이터 시트 페이지 4 W632GG6NB15J 데이터 시트 페이지 5 W632GG6NB15J 데이터 시트 페이지 6 W632GG6NB15J 데이터 시트 페이지 7 W632GG6NB15J 데이터 시트 페이지 8 W632GG6NB15J 데이터 시트 페이지 9 W632GG6NB15J 데이터 시트 페이지 10 W632GG6NB15J 데이터 시트 페이지 11

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  • W632GG6NB11I Distributor

W632GG6NB11I 사양

제조업체Winbond Electronics
시리즈-
메모리 유형Volatile
메모리 포맷DRAM
기술SDRAM - DDR3
메모리 크기2Gb (128M x 16)
메모리 인터페이스Parallel
시계 주파수933MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지15ns
접근 시간20ns
전압-공급1.425V ~ 1.575V
작동 온도-40°C ~ 95°C (TC)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스96-VFBGA
공급자 장치 패키지96-VFBGA (7.5x13)

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제조업체

Microchip Technology

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

EEPROM

기술

EEPROM

메모리 크기

2Kb (256 x 8)

메모리 인터페이스

I²C

시계 주파수

400kHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

5ms

접근 시간

900ns

전압-공급

1.5V ~ 3.6V

작동 온도

-20°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOIC

47L04T-E/SN

Microchip Technology

제조업체

Microchip Technology

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

EERAM

기술

EEPROM, SRAM

메모리 크기

4Kb (512 x 8)

메모리 인터페이스

I²C

시계 주파수

1MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

1ms

접근 시간

400ns

전압-공급

2.7V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 125°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOIC

W29GL256PH9T

Winbond Electronics

제조업체

Winbond Electronics

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH - NOR

메모리 크기

256Mb (32M x 8, 16M x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

90ns

접근 시간

90ns

전압-공급

2.7V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)

공급자 장치 패키지

56-TSOP

IS61WV102416DALL-10BLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

제조업체

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Asynchronous

메모리 크기

16Mb (1M x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

10ns

접근 시간

10ns

전압-공급

1.65V ~ 2.2V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

48-TFBGA

공급자 장치 패키지

48-miniBGA (9x11)

MT29F2T08CVCBBG6-6R:B TR

Micron Technology Inc.

제조업체

Micron Technology Inc.

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH - NAND

메모리 크기

2Tb (256G x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

167MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

-

전압-공급

2.7V ~ 3.6V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

272-LFBGA

공급자 장치 패키지

272-LFBGA (14x18)

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B32921C3104M000

B32921C3104M000

TDK-EPCOS

CAP FILM 0.1UF 20% 305VAC RADIAL

CKR05BX104KR

CKR05BX104KR

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